ESMT (Elite Semiconductor Microelectronics Technology Inc.)

Introduction
Les produits les plus

Elite Semiconductor Microelectronics Technology Inc. (ESMT) est une société professionnelle de conception de circuits intégrés, fondée en juin 1998 dans le parc industriel scientifique de Hsinchu à Taiwan.L'activité principale de la société comprend la conception de produits IC de marque propre, la fabrication, les ventes et les services techniques. ESMT a été cotée avec succès à la Bourse de Taïwan, code 3006, en mars 2002.

F59L4G81KSA-25BCIG2N BGA67 F59L4G81KSA-25TIG2N 48TSOPI F59L4G81KSA-25BIG2N BGA63

ESMT DRAM DDR SDRAM Memory IC M13S64164A(2C) 4Mbx16 DDR SDRAM 2.5V 4K 166/200/250MHz

partie #	Description	Courant
F59L4G81KSA-25BCIG2N BGA67 F59L4G81KSA-25TIG2N 48TSOPI F59L4G81KSA-25BIG2N BGA63	ESMT DRAM DDR SDRAM mémoire IC M13S64164A(2C) 4Mbx16 DDR SDRAM 2.5V 4K 166/200/250MHz	En stock
FC51L04SMSA FC51L04SFSA(2A) FC51L04SFSSA (2AF) FC51L08SFY3A FC51L08SFSA (2A) FC51J32SJTS2A (2D) FC51E64SBTS2A (2A)	FC51L04SFSA 2D MLC eMMC5.1 ci de mémoire eMCC 200 MHz 153BGA FC51L04SFSAXSA1-2.58WE	En stock
FM73E885CQPB (2R) FM73E885CQP1B (2R) FM73E3285CRTP1B (2R EPOP	FM73E885CQP1B HS400 800/933 MHz 136BGA 8 Go eMMC + 8 Go LPDDR3 ou 32 Go eMMC + 8 Go LPDDR3 EPOP FM73	En stock
FM6BD1G1GMB-1.8BLCE 1G+1G (Flash NAND + LPDDR2) FM6BD1G1GMB(2M) FM62D1G1GMB (2G) FM6BD1G1GMB (2G)	FM6BD1G1GMB Flash NAND 1,8 V 1 Go (128 Mo x 8) SDRAM LPDDR2 1,8 V 1 Go (32 Mo x 32) 45 ns 400/533 MH	En stock
F59L1G81LB SLC NAND ou SLC NAND IC de mémoire flash F59L1G81LB-25TG2M	F59L1G81LB (2 M) SLC NAND Flash x8 3,3 V ECC : 1 bit/528 octets 25 ns 48 TSOPI/ 63BGA/ 67BGA	En stock
Pour les appareils de surveillance de l'environnement, le système de surveillance de l'environnement doit être équipé d'un système de surveillance de l'environnement.	256 Mo 2,7 V - 3,6 V 104 MHz/133 MHz SPI NOR Mémoire Flash IC	En stock
EN29LV800D(2A) EN29LV160D(2W) EN29LV320C (2Y) EN29LV320CB-70BIP	Secteur de démarrage de mémoire flash parallèle NOR 32 Mo IC EN29LV320CB-70BIP	En stock
M55D1G3232A(2Y) M55D1G1664A (2Y) 4 Go M55D4G16256A(2R) M55D4G32128A(2R) 2 Go M56Z2G16128A (2R) 4 Go M56Z4G16256A(2H) M56Z4G32128A (2R) 8 Go M56Z8G32256A M56Z8G32256A (2H)	LPDDR3 SDRAM LPDDR4x SDRAM M55D4G32128A-GFB	In Stock
M52D64322AK1AG M52D5123216A M52D5121632A M52D2561616A(2F) M52D256328A(2F) CI SDRAM LPSDR	M52D64322A 2Mbx32 1.8V 4K 166MHz 54FBGA LPSDR SDRAM IC	In Stock
M53D64164A (2C) M13D64322A (2S) M53D2561616A (2F) M53D256328A (2F) M53D5121632A M53D5123216A M53D1G1664A M53D1G3232A	M53D5123216A 16Mbx32 1.8V 8K 200MHz 144FBGA LPDDR SDRAM IC M53D5123216A-5B	In Stock
M16U4G16256A-KJBG2Z M16U4G16256A-QLBG2Z	4 Go 256 Mbx16 1,2 V 1333/1600 MHz DDR4 SDRAM M16U4G16256A M16U4G8512A 96BGA IC	en stock
128 Mo DRAM DDR SDRAM M13S128168A-5TG M13S128168A-6T M13S128168A-4T	M13S128168A (2S) 8 Mo x 16 2,5 V 4K 160/200/250 MHz 66TSOPII/ 60BGA DDR SDRAM IC	en stock
M13S64164A-5TG M13S64164A-5T 64 Mo DRAM DDR SDRAM IC	M13S64164A(2C) 64 Mo 4 Mo x 16 DDR SDRAM 2,5 V 4K 166/200/250 MHz 66TSOPII IC	en stock
M12L5121632A-6TG2T 166MHz TSOP M12L5121632A-7TG2T 143MHz TSOP54 M12L5121632A-5BG2T 200MHz BGA M12L5121632A-6BG2T 166MHz BGA M12L5121632A-7BG2T 143MHz BGA	M12L5121632A 32Mbx16 SDRAM 3.3V 8K 143/166/200MHz 54pin TSOPII/54FBGA IC M12L5121632A-5TG2T	en stock
M13S64164A-5TG M13S64164A-5T M13S64164A(2C) Circuit intégré de mémoire DRAM DDR SDRAM ESMT	ESMT DRAM DDR SDRAM mémoire IC M13S64164A(2C) 4Mbx16 DDR SDRAM 2.5V 4K 166/200/250MHz	en stock
M12L2561616A-6TG2T M12L2561616A-6BIG2S ESMT SDRAM 3.3V CI de mémoire	M12L2561616A (2T) M12L16161A (2R) M12L16164A M12L64322A M12L128168A M12L5121632ASDRAM	en stock

Puce PMIC

CI de circuits intégrés

Composants électroniques

Circuit intégré de microcontrôleur

CI FPGA

IC de capteur de position rotatif

Résistance électronique

Condensateurs électroniques

Oscillateur à cristal

Borne de connecteurs

Diodes Transistors

Relais électromécanique

Inducteur électrique

Semi-conducteurs discrets

Coupleur optoélectronique

PCBA CMS

Carte de développement Arduino

ESMT (Elite Semiconductor Microelectronics Technology Inc.)

F59L4G81KSA-25BCIG2N BGA67 F59L4G81KSA-25TIG2N 48TSOPI F59L4G81KSA-25BIG2N BGA63

FC51L04SMSA FC51L04SFSA(2A) FC51L04SFSSA (2AF) FC51L08SFY3A FC51L08SFSA (2A) FC51J32SJTS2A (2D) FC51E64SBTS2A (2A)

FM73E885CQPB (2R) FM73E885CQP1B (2R) FM73E3285CRTP1B (2R EPOP

FM6BD1G1GMB-1.8BLCE 1G+1G (Flash NAND + LPDDR2) FM6BD1G1GMB(2M) FM62D1G1GMB (2G) FM6BD1G1GMB (2G)

F59L1G81LB SLC NAND ou SLC NAND IC de mémoire flash F59L1G81LB-25TG2M

Pour les appareils de surveillance de l'environnement, le système de surveillance de l'environnement doit être équipé d'un système de surveillance de l'environnement.

EN29LV800D(2A) EN29LV160D(2W) EN29LV320C (2Y) EN29LV320CB-70BIP

M55D1G3232A(2Y) M55D1G1664A (2Y) 4 Go M55D4G16256A(2R) M55D4G32128A(2R) 2 Go M56Z2G16128A (2R) 4 Go M56Z4G16256A(2H) M56Z4G32128A (2R) 8 Go M56Z8G32256A M56Z8G32256A (2H)

M52D64322AK1AG M52D5123216A M52D5121632A M52D2561616A(2F) M52D256328A(2F) CI SDRAM LPSDR

M53D64164A (2C) M13D64322A (2S) M53D2561616A (2F) M53D256328A (2F) M53D5121632A M53D5123216A M53D1G1664A M53D1G3232A

M16U4G16256A-KJBG2Z M16U4G16256A-QLBG2Z

128 Mo DRAM DDR SDRAM M13S128168A-5TG M13S128168A-6T M13S128168A-4T

M13S64164A-5TG M13S64164A-5T 64 Mo DRAM DDR SDRAM IC

M12L5121632A-6TG2T 166MHz TSOP M12L5121632A-7TG2T 143MHz TSOP54 M12L5121632A-5BG2T 200MHz BGA M12L5121632A-6BG2T 166MHz BGA M12L5121632A-7BG2T 143MHz BGA

M13S64164A-5TG M13S64164A-5T M13S64164A(2C) Circuit intégré de mémoire DRAM DDR SDRAM ESMT

M12L2561616A-6TG2T M12L2561616A-6BIG2S ESMT SDRAM 3.3V CI de mémoire

F59L4G81KSA-25BCIG2N BGA67 F59L4G81KSA-25TIG2N 48TSOPI F59L4G81KSA-25BIG2N BGA63

FC51L04SMSA FC51L04SFSA(2A) FC51L04SFSSA (2AF) FC51L08SFY3A FC51L08SFSA (2A) FC51J32SJTS2A (2D) FC51E64SBTS2A (2A)

FM73E885CQPB (2R) FM73E885CQP1B (2R) FM73E3285CRTP1B (2R EPOP

FM6BD1G1GMB-1.8BLCE 1G+1G (Flash NAND + LPDDR2) FM6BD1G1GMB(2M) FM62D1G1GMB (2G) FM6BD1G1GMB (2G)

F59L1G81LB SLC NAND ou SLC NAND IC de mémoire flash F59L1G81LB-25TG2M

Pour les appareils de surveillance de l'environnement, le système de surveillance de l'environnement doit être équipé d'un système de surveillance de l'environnement.

EN29LV800D(2A) EN29LV160D(2W) EN29LV320C (2Y) EN29LV320CB-70BIP

M55D1G3232A(2Y) M55D1G1664A (2Y) 4 Go M55D4G16256A(2R) M55D4G32128A(2R) 2 Go M56Z2G16128A (2R) 4 Go M56Z4G16256A(2H) M56Z4G32128A (2R) 8 Go M56Z8G32256A M56Z8G32256A (2H)

M52D64322AK1AG M52D5123216A M52D5121632A M52D2561616A(2F) M52D256328A(2F) CI SDRAM LPSDR

M53D64164A (2C) M13D64322A (2S) M53D2561616A (2F) M53D256328A (2F) M53D5121632A M53D5123216A M53D1G1664A M53D1G3232A

M16U4G16256A-KJBG2Z M16U4G16256A-QLBG2Z

128 Mo DRAM DDR SDRAM M13S128168A-5TG M13S128168A-6T M13S128168A-4T

M13S64164A-5TG M13S64164A-5T 64 Mo DRAM DDR SDRAM IC

M12L5121632A-6TG2T 166MHz TSOP M12L5121632A-7TG2T 143MHz TSOP54 M12L5121632A-5BG2T 200MHz BGA M12L5121632A-6BG2T 166MHz BGA M12L5121632A-7BG2T 143MHz BGA

M13S64164A-5TG M13S64164A-5T M13S64164A(2C) Circuit intégré de mémoire DRAM DDR SDRAM ESMT

M12L2561616A-6TG2T M12L2561616A-6BIG2S ESMT SDRAM 3.3V CI de mémoire

Puce PMIC

CI de circuits intégrés

Composants électroniques

Circuit intégré de microcontrôleur

CI FPGA

IC de capteur de position rotatif

Résistance électronique

Condensateurs électroniques

Oscillateur à cristal

Borne de connecteurs