128 Mo DRAM DDR SDRAM M13S128168A-5TG M13S128168A-6T M13S128168A-4T
fabricant:
ESMT (Elite Semiconductor Microelectronics Technology Inc.)
Description:
M13S128168A (2S) 8 Mo x 16 2,5 V 4K 160/200/250 MHz 66TSOPII/ 60BGA DDR SDRAM IC
Catégorie:
Circuit intégré de microcontrôleur
Dans-actions:
en stock
Prix:
US$2.80
Méthode de paiement:
T/T
Méthode de transport:
Exprimer
Caractéristiques
Nom du produit:
M13S128168A (2S) 8 Mo x 16 2,5 V 4K 160/200/250 MHz 66TSOPII/ 60BGA DDR SDRAM IC
Catégorie:
Circuits intégrés (CI)-M13S128168A (2S)
Package / étui:
TSSOP/BGA
Température de fonctionnement:
-40 ° C ~ 85 ° C (TA)
Type de montage:
Montage en surface
MFR:
ESMT
Numéro de produit de base:
M13S128168A
Numéros de pièces:
128 Mo DRAM DDR SDRAM M13S128168A-5TG M13S128168A-6T M13S128168A-4T
Introduction
M13S128168A (2S) 8Mbx16 2.5V 4K 160/200/250MHz 66TSOPII/ 60BGA DDR SDRAM IC
128MB DRAM DDR SDRAM M13S128168A-5TG M13S128168A-6T M13S128168A-4T
Application :
Automobile
Réseautage
Grand public
Décodeur
Industriel
Affichage
IOT
Surveillance de sécurité
Appareils portables
Périphériques PC
Elite Semiconductor Microelectronics Technology Inc. (ESMT) est une société de conception de circuits intégrés professionnelle, fondée en juin 1998 dans le parc industriel scientifique de Hsinchu à Taïwan. L'activité principale de la société comprend la conception, la fabrication, la vente et les services techniques de produits de circuits intégrés de sa propre marque. ESMT est entrée avec succès en bourse à la Bourse de Taïwan, code 3006, en mars 2002.
Plus de produits SDRAM ESMT en stock :
| DRAM DDR SDRAM | |||||
| 64Mb | |||||
| Numéro de pièce | Organisation | Description | Rafraîchissement | Vitesse (mhz) | Paquet |
| M13S64164A(2C) | 4Mbx16 | DDR SDRAM 2.5V | 4K | 166/200/250MHz | 66 TSOPII |
| M13S64164A-5TG M13S64164A-5T | |||||
| 128Mb | |||||
| Numéro de pièce | Organisation | Description | Rafraîchissement | Vitesse (mhz) | Paquet |
| M13S128168A (2S) | 8Mbx16 | DDR SDRAM 2.5V | 4K | 160/200/250MHz | 66TSOPII/ 60BGA |
| 256Mb | |||||
| Numéro de pièce | Organisation | Description | Rafraîchissement | Vitesse (mhz) | Paquet |
| M13S2561616A(2T) | 16Mbx16 | DDR SDRAM 2.5V | 7.8us | 166/200/250MHz | 66TSOPII/ 60BGA |
| 512Mb | |||||
| Numéro de pièce | Organisation | Description | Rafraîchissement | Vitesse (mhz) | Paquet |
| M13S5121632A(2T) | 32Mbx16 | DDR SDRAM 2.5V | 7.8us | 166/200MHz | 66 broches TSOPII |
| DDR2 SDRAM | |||||
| 128Mb | |||||
| Numéro de pièce | Organisation | Description | Rafraîchissement | Vitesse (mhz) | Paquet |
| M14D128168A (2Y) | 8Mbx16 | DDRII SDRAM, 1.8V | 4K | 400/533/600/667MHz | 84 Ball FBGA |
PRODUITS CONNEXES
FM6BD1G1GMB-1.8BLCE 1G+1G (Flash NAND + LPDDR2) FM6BD1G1GMB(2M) FM62D1G1GMB (2G) FM6BD1G1GMB (2G)
FM6BD1G1GMB 1.8V 1Gb NAND Flash (128Mbx8) 1.8V 1Gb LPDDR2 SDRAM (32Mbx32) 45ns 400/533MHz 10.5x8 (mm) 162BGA
F59L1G81LB SLC NAND ou SLC NAND IC de mémoire flash F59L1G81LB-25TG2M
F59L1G81LB (2M) SLC NAND Flash x8 3.3V ECC:1bit/528Byte 25ns 48TSOPI/ 63BGA/ 67BGA
Pour les appareils de surveillance de l'environnement, le système de surveillance de l'environnement doit être équipé d'un système de surveillance de l'environnement.
256Mb 2.7V - 3.6V 104MHz/133MHz SPI NOR Flash Memory IC
EN29LV800D(2A) EN29LV160D(2W) EN29LV320C (2Y) EN29LV320CB-70BIP
Parallel NOR 32Mb Flash Memory Boot Sector IC EN29LV320CB-70BIP
M55D1G3232A(2Y) M55D1G1664A (2Y) 4 Go M55D4G16256A(2R) M55D4G32128A(2R) 2 Go M56Z2G16128A (2R) 4 Go M56Z4G16256A(2H) M56Z4G32128A (2R) 8 Go M56Z8G32256A M56Z8G32256A (2H)
LPDDR3 SDRAM LPDDR4x SDRAM M55D4G32128A-GFB
M52D64322AK1AG M52D5123216A M52D5121632A M52D2561616A(2F) M52D256328A(2F) CI SDRAM LPSDR
M52D64322A 2Mbx32 1.8V 4K 166MHz 54FBGA LPSDR SDRAM IC
M53D64164A (2C) M13D64322A (2S) M53D2561616A (2F) M53D256328A (2F) M53D5121632A M53D5123216A M53D1G1664A M53D1G3232A
M53D5123216A 16Mbx32 1.8V 8K 200MHz 144FBGA LPDDR SDRAM IC M53D5123216A-5B
M16U4G16256A-KJBG2Z M16U4G16256A-QLBG2Z
4Gb 256Mbx16 1.2V 1333/1600MHz DDR4 SDRAM M16U4G16256A M16U4G8512A 96BGA IC
M13S64164A-5TG M13S64164A-5T 64 Mo DRAM DDR SDRAM IC
M13S64164A(2C) 64Mb 4Mbx16 DDR SDRAM 2.5V 4K 166/200/250MHz 66TSOPII IC
M12L5121632A-6TG2T 166MHz TSOP M12L5121632A-7TG2T 143MHz TSOP54 M12L5121632A-5BG2T 200MHz BGA M12L5121632A-6BG2T 166MHz BGA M12L5121632A-7BG2T 143MHz BGA
M12L5121632A 32Mbx16 SDRAM 3.3V 8K 143/166/200MHz 54pin TSOPII/54FBGA IC M12L5121632A-5TG2T
M13S64164A-5TG M13S64164A-5T M13S64164A(2C) Circuit intégré de mémoire DRAM DDR SDRAM ESMT
ESMT DRAM DDR SDRAM Memory IC M13S64164A(2C) 4Mbx16 DDR SDRAM 2.5V 4K 166/200/250MHz
M12L2561616A-6TG2T M12L2561616A-6BIG2S ESMT SDRAM 3.3V CI de mémoire
M12L2561616A (2T) M12L16161A (2R) M12L16164A M12L64322A M12L128168A M12L5121632ASDRAM
Envoyez le RFQ
Courant:
In Stock
Nombre de pièces:
10pieces