128 Mo DRAM DDR SDRAM M13S128168A-5TG M13S128168A-6T M13S128168A-4T
M13S128168A (2S) 8Mbx16 2.5V 4K 160/200/250MHz 66TSOPII/ 60BGA DDR SDRAM IC
128MB DRAM DDR SDRAM M13S128168A-5TG M13S128168A-6T M13S128168A-4T
Application :
Automobile
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Surveillance de sécurité
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Périphériques PC
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Elite Semiconductor Microelectronics Technology Inc. (ESMT) est une société de conception de circuits intégrés professionnelle, fondée en juin 1998 dans le parc industriel scientifique de Hsinchu à Taïwan. L'activité principale de la société comprend la conception, la fabrication, la vente et les services techniques de produits de circuits intégrés de sa propre marque. ESMT est entrée avec succès en bourse à la Bourse de Taïwan, code 3006, en mars 2002.
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| DRAM DDR SDRAM | |||||
| 64Mb | |||||
| Numéro de pièce | Organisation | Description | Rafraîchissement | Vitesse (mhz) | Paquet |
| M13S64164A(2C) | 4Mbx16 | DDR SDRAM 2.5V | 4K | 166/200/250MHz | 66 TSOPII |
| M13S64164A-5TG M13S64164A-5T | |||||
| 128Mb | |||||
| Numéro de pièce | Organisation | Description | Rafraîchissement | Vitesse (mhz) | Paquet |
| M13S128168A (2S) | 8Mbx16 | DDR SDRAM 2.5V | 4K | 160/200/250MHz | 66TSOPII/ 60BGA |
| 256Mb | |||||
| Numéro de pièce | Organisation | Description | Rafraîchissement | Vitesse (mhz) | Paquet |
| M13S2561616A(2T) | 16Mbx16 | DDR SDRAM 2.5V | 7.8us | 166/200/250MHz | 66TSOPII/ 60BGA |
| 512Mb | |||||
| Numéro de pièce | Organisation | Description | Rafraîchissement | Vitesse (mhz) | Paquet |
| M13S5121632A(2T) | 32Mbx16 | DDR SDRAM 2.5V | 7.8us | 166/200MHz | 66 broches TSOPII |
| DDR2 SDRAM | |||||
| 128Mb | |||||
| Numéro de pièce | Organisation | Description | Rafraîchissement | Vitesse (mhz) | Paquet |
| M14D128168A (2Y) | 8Mbx16 | DDRII SDRAM, 1.8V | 4K | 400/533/600/667MHz | 84 Ball FBGA |
M13S64164A-5TG M13S64164A-5T 64MB DRAM DDR SDRAM IC
M12L5121632A-6TG2T 166MHz TSOP M12L5121632A-7TG2T 143MHz TSOP54 M12L5121632A-5BG2T 200MHz BGA M12L5121632A-6BG2T 166MHz BGA M12L5121632A-7BG2T 143MHz BGA
M13S64164A-5TG M13S64164A-5T M13S64164A(2C) Circuit intégré de mémoire DRAM DDR SDRAM ESMT
M12L2561616A-6TG2T M12L2561616A-6BIG2S ESMT SDRAM 3.3V CI de mémoire
| Image | partie # | Description | |
|---|---|---|---|
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M13S64164A-5TG M13S64164A-5T 64MB DRAM DDR SDRAM IC |
M13S64164A(2C) 64Mb 4Mbx16 DDR SDRAM 2.5V 4K 166/200/250MHz 66TSOPII IC
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M12L5121632A-6TG2T 166MHz TSOP M12L5121632A-7TG2T 143MHz TSOP54 M12L5121632A-5BG2T 200MHz BGA M12L5121632A-6BG2T 166MHz BGA M12L5121632A-7BG2T 143MHz BGA |
M12L5121632A 32Mbx16 SDRAM 3.3V 8K 143/166/200MHz 54pin TSOPII/54FBGA IC M12L5121632A-5TG2T
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M13S64164A-5TG M13S64164A-5T M13S64164A(2C) Circuit intégré de mémoire DRAM DDR SDRAM ESMT |
ESMT DRAM DDR SDRAM Memory IC M13S64164A(2C) 4Mbx16 DDR SDRAM 2.5V 4K 166/200/250MHz
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M12L2561616A-6TG2T M12L2561616A-6BIG2S ESMT SDRAM 3.3V CI de mémoire |
M12L2561616A (2T) M12L16161A (2R) M12L16164A M12L64322A M12L128168A M12L5121632ASDRAM
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