M13S64164A-5TG M13S64164A-5T M13S64164A(2C) Circuit intégré de mémoire DRAM DDR SDRAM ESMT
fabricant:
ESMT (Elite Semiconductor Microelectronics Technology Inc.)
Description:
ESMT DRAM DDR SDRAM mémoire IC M13S64164A(2C) 4Mbx16 DDR SDRAM 2.5V 4K 166/200/250MHz
Catégorie:
Circuit intégré de microcontrôleur
Dans-actions:
en stock
Prix:
US$0.80
Méthode de paiement:
T/T
Méthode de transport:
Exprimer
Caractéristiques
Nom du produit:
M13S64164A(2C) CI de mémoire SDRAM DDR ESMT
Catégorie:
Circuits intégrés (CI)-M12L2561616A (2T) puces de mémoire SDRAM M12L2561616A-6TG2T
Package / étui:
TSSOP/BGA
Température de fonctionnement:
-40 ° C ~ 85 ° C (TA)
Type de montage:
Montage en surface
MFR:
ESMT
Numéro de produit de base:
M13S64164A-5TG M13S64164A-5T M13S64164A(2C)
Caractéristiques:
M13S64164A(2C) ESMT ddR SDRAM mémoire IC 4Mbx16 DDR SDRAM 2.5V 4K 166/200/250MHz
Introduction
M13S64164A(2C) ESMT ddR mémoire SDRAM IC 4Mbx16 DDR SDRAM 2,5 V 4K Les émissions d'oxygène de dioxyde de carbone dans l'atmosphère doivent être calculées à partir de l'oxygène de dioxyde de carbone utilisé dans l'atmosphère.
Elite Semiconductor Microelectronics Technology Inc. (ESMT) est une société professionnelle de conception de circuits intégrés, fondée en juin 1998 dans le parc industriel scientifique de Hsinchu à Taiwan.L'activité principale de la société comprend la conception de produits IC de marque propre, la fabrication, les ventes et les services techniques. ESMT a été cotée avec succès à la Bourse de Taïwan, code 3006, en mars 2002.
Informations de commande:
| Le système de traitement de données est un système de traitement de données. | |||||
| 64 Mb | |||||
| Numéro de la partie | Organisation du projet | Définition | Récupérer | Vitesse (mHz) | Le paquet |
| M13S64164A ((2C) | 4 Mbx16 | DDR SDRAM 2,5 V | 4K | 166/200/250MHz | 66 TSOPII |
| M13S64164A-5TG M13S64164A-5T | |||||
| 128 Mb | |||||
| Numéro de la partie | Organisation du projet | Définition | Récupérer | Vitesse (mHz) | Le paquet |
| M13S128168A (2S) | 8 Mbx16 | DDR SDRAM 2,5 V | 4K | 160/200/250 MHz | 66TSOPII/ 60BGA Le produit doit être soumis à un contrôle de qualité. |
| 256 Mb | |||||
| Numéro de la partie | Organisation du projet | Définition | Récupérer | Vitesse (mHz) | Le paquet |
| M13S2561616A ((2T) | 16 Mbx16 | DDR SDRAM 2,5 V | 7.8us | 166/200/250MHz | 66TSOPII/ 60BGA Le produit doit être soumis à un contrôle de qualité. |
| 512 Mb | |||||
| Numéro de la partie | Organisation du projet | Définition | Récupérer | Vitesse (mHz) | Le paquet |
| M13S5121632A ((2T) | 32 Mbx16 | DDR SDRAM 2,5 V | 7.8us | 166/200 MHz | 66 épingle TSOPII |
| La mémoire SDRAM DDR2 | |||||
| 128 Mb | |||||
| Numéro de la partie | Organisation du projet | Définition | Récupérer | Vitesse (mHz) | Le paquet |
| M14D128168A (2Y) | 8 Mbx16 | DDRII SDRAM, 1,8 V | 4K | 400/533/600/667 MHz | 84 Boule FBGA |
| 256 Mb | |||||
| Numéro de la partie | Organisation du projet | Définition | Récupérer | Vitesse (mHz) | Le paquet |
| M14D2561616A ((2S) | 16 Mbx16 | DDRII SDRAM, 1,8 V | 8K | 400/533/667 MHz | 84 Boule BGA |
| M14D2561616A ((2C) | 16 Mbx16 | DDRII SDRAM, 1,8 V | 8K | 400/533/667 MHz | 84 boules BGA |
| 512 Mb | |||||
| Numéro de la partie | Organisation du projet | Définition | Récupérer | Vitesse (mHz) | Le paquet |
| M14D5121632A ((2S) | 32 Mbx16 | DDRII SDRAM, 1,8 V | - | 400/533/600/667 MHz | 84 Boule BGA |
| M14D5121632A (2M) | 32 Mbx16 | DDRII SDRAM, 1,8 V | 8K | 400/533/667 MHz | 84 Boule BGA |
| 1Gb | |||||
| Numéro de la partie | Organisation du projet | Définition | Récupérer | Vitesse (mHz) | Le paquet |
| M14D1G1664A (2P) | 64 Mbx16 | DDRII SDRAM 1,8 V | 8K | 400/533/600/667 MHz | 84 Boule BGA |
| M14D1G8128A (2P) | 128 Mbx8 | DDRII SDRAM 1,8 V | 8K | 400/533/600/667 MHz | BGA à 60 boules |
| REM DDR3 ((L) SDRAM | |||||
| 512 Mb | |||||
| Numéro de la partie | Organisation du projet | Définition | Récupérer | Vitesse (mHz) | Le paquet |
| M15T5121632A | 32 Mbx16 | DDRIII SDRAM 1,35 V/1,5 V | - | 800/933 MHz | 96 BGA à bille |
| 1Gb | |||||
| Numéro de la partie | Organisation du projet | Définition | Récupérer | Vitesse (mHz) | Le paquet |
| M15T1G1664A (2S) | 64 Mbx16 | DDRIII SDRAM 1,35 V/1,5 V | - | 933/1066MHz | 96 BAll BGA |
| M15T1G8128A ((2S) | 128 Mbx8 | DDRIII SDRAM 1,35 V/1,5 V | - | 933/1066MHz | BGA à bille 78 |
| M15T1G1664A (2T) | 64 Mbx16 | DDRIII SDRAM 1,35 V/1,5 V | - | 933/1066MHz | 96 BAll BGA |
| M15T1G1664A (2Z) | 64 Mbx16 | DDRIII SDRAM 1,35 V/1,5 V | - | 933/1066MHz | 96 BAll BGA |
| M15F1G1664A (2S) | 64 Mbx16 | DDRIII SDRAM 1,5 V | - | 933/1066/1200 MHz | 96 BAll BGA |
| 2Gb | |||||
| Numéro de la partie | Organisation du projet | Définition | Récupérer | Vitesse (mHz) | Le paquet |
| M15T2G8256A ((2R) | 256 Mbx8 | DDRIII SDRAM 1,35 V/1,5 V | - | 800/933/1066MHz | BGA à bille 78 |
| M15T2G16128A ((2R) | 128 Mbx16 | DDRIII SDRAM 1,35 V/1,5 V | - | 800/933 MHz | 96 BGA à bille |
| M15T2G16128A ((2P) | 128 Mbx16 | DDRIII SDRAM 1,35 V/1,5 V | - | 800/933/1066MHz | 96 BGA à bille |
| M15T2G16128A (2D) | 128 Mbx16 | DDRIII SDRAM 1,35 V/1,5 V | - | 933/1066MHz | 96 BGA à bille |
| M15T2G8256A (2D) | 256 Mbx8 | DDRIII SDRAM 1,35 V/1,5 V | - | 933/1066MHz | BGA à bille 78 |
| 4Gb | |||||
| Numéro de la partie | Organisation du projet | Définition | Récupérer | Vitesse (mHz) | Le paquet |
| M15T4G16256A (2S) | 256 Mbx16 | DDRIII SDRAM 1,35 V/1,5 V | - | 800/933/1066MHz | 96 BGA à bille |
| M15T4G16256A ((2C) | 256 Mbx16 | DDRIII SDRAM 1,35 V/1,5 V | - | 800/933/1066MHz | 96 BGA à bille |
| M15T4G16256A (2P) | 256 Mbx16 | DDRIII SDRAM 1,35 V/1,5 V | - | 933/1066MHz | 96 BGA à bille |
| M15T4G8512A ((2S) | 512 Mbx8 | DDRIII SDRAM 1,35 V/1,5 V | - | 800/933/1066MHz | BGA à bille 78 |
| M15T4G8512A ((2C) | 512 Mbx8 | DDRIII SDRAM 1,35 V/1,5 V | - | 800/933/1066MHz | BGA à bille 78 |
| 8Gb | |||||
| Numéro de la partie | Organisation du projet | Définition | Récupérer | Vitesse (mHz) | Le paquet |
| M15T8G16512A ((2S) | 512 Mbx16 | DDRIII SDRAM 1,35 V/1,5 V | - | 800/933/1066MHz | 96 BGA à bille |
| REM SDR4 DDR4 | |||||
| 4Gb | |||||
| Numéro de la partie | Organisation du projet | Définition | Récupérer | Vitesse (mHz) | Le paquet |
| M16U4G16256A ((2Z) | 256 Mbx16 | DDR4 1,2 V | - | 1333/ 1600 MHz | 96 BGA à bille |
| M16U4G8512A ((2Z) | 512 Mbx8 | DDR4 1,2 V | - | 1333/ 1600 MHz | BGA à bille 78 |
| REM SDRAM LPSDR | |||||
| 64 Mb | |||||
| Numéro de la partie | Organisation du projet | Définition | Récupérer | Vitesse (mHz) | Le paquet |
| M52D64322A (2S) | 2 Mbx32 | LPSDR SDRAM 1,8 V | 4K | 166 MHz | 54 Ballon FBGA |
| 256 Mb | |||||
| Numéro de la partie | Organisation du projet | Définition | Récupérer | Vitesse (mHz) | Le paquet |
| M52D2561616A ((2F) | 16 Mbx16 | LPSDR SDRAM 1,8 V | 8K | 143/166/200MHz | 54 Ballon FBGA |
| M52D256328A ((2F) | 8 Mbx32 | LPSDR SDRAM 1,8 V | 4K | 143/166 MHz | 90 balles FBGA |
| 512 Mb | |||||
| Numéro de la partie | Organisation du projet | Définition | Récupérer | Vitesse (mHz) | Le paquet |
| M52D5123216A | 16 Mbx32 | LPSDR SDRAM 1,8 V | 8K | 143/166 MHz | BGA à bille 90 |
| M52D5121632A | 32 Mbx16 | LPSDR SDRAM 1,8 V | 8K | 143/166/200MHz | 54 Ballon FBGA |
| Résistance à la combustion | |||||
| 64 Mb | |||||
| Numéro de la partie | Organisation du projet | Définition | Récupérer | Vitesse (mHz) | Le paquet |
| M53D64164A (2C) | 4 Mbx16 | Le débit de la batterie est supérieur ou égal à: | 4K | 200/220 MHz | BGA à 60 boules |
| M13D64322A (2S) | 2 Mbx32 | Le débit de la batterie est supérieur ou égal à: | 4K | 200/222/250 MHz | 144 Boule FBGA |
| 256 Mb | |||||
| Numéro de la partie | Organisation du projet | Définition | Récupérer | Vitesse (mHz) | Le paquet |
| M53D2561616A (2F) | 16 Mbx16 | Le débit de la batterie est supérieur ou égal à: | 8K | 133/166/200MHz | BGA à 60 boules |
| M53D256328A (2F) | 8 Mbx32 | Le débit de la batterie est supérieur ou égal à: | 8K | 133/166/200MHz | 144 Boule FBGA |
| 512 Mb | |||||
| Numéro de la partie | Organisation du projet | Définition | Récupérer | Vitesse (mHz) | Le paquet |
| M53D5121632A | 32 Mbx16 | Le débit de la batterie est supérieur ou égal à: | 8K | 200 MHz | BGA à 60 boules |
| M53D5123216A | 16 Mbx32 | Le débit de la batterie est supérieur ou égal à: | 8K | 200 MHz | 144 Boule FBGA |
| 1Gb | |||||
| Numéro de la partie | Organisation du projet | Définition | Récupérer | Vitesse (mHz) | Le paquet |
| M53D1G1664A | 64 Mbx16 | Le débit de la batterie est supérieur ou égal à: | 8K | 133/166/200MHz | BGA à 60 boules |
| M53D1G3232A | 32 Mbx32 | Le débit de la batterie est supérieur ou égal à: | 8K | 133/166/200MHz | 144 Boule FBGA |
| La RAM LPDDR2 est une RAM SDRAM | |||||
| 512 Mb | |||||
| Numéro de la partie | Organisation du projet | Définition | Récupérer | Vitesse (mHz) | Le paquet |
| M54D5121632A | 32 Mbx16 | L'équipement doit être équipé d'un système de récupération automatique. | - | 400/ 533 MHz | 134 Boule BGA |
| M54D5123216A | 16 Mbx32 | L'équipement doit être équipé d'un système de récupération automatique. | - | 400/ 533 MHz | 134 Boule BGA |
| 1Gb | |||||
| Numéro de la partie | Organisation du projet | Définition | Récupérer | Vitesse (mHz) | Le paquet |
| M54D1G1664A | 64 Mbx16 | L'équipement doit être équipé d'un système de récupération automatique. | - | 333/400/533MHz | 134 BGA |
| M54D1G1664A (2G) | 64 Mbx16 | L'équipement doit être équipé d'un système de récupération automatique. | - | 400/533 MHz | 134 BGA |
| M54D1G3232A (2G) | 32 Mbx32 | L'équipement doit être équipé d'un système de récupération automatique. | - | 400/533 MHz | 134 BGA |
| M54D1G3232A | 32 Mbx32 | L'équipement doit être équipé d'un système de récupération automatique. | - | 333/400/533MHz | 134 BGA |
| 2Gb | |||||
| Numéro de la partie | Organisation du projet | Définition | Récupérer | Vitesse (mHz) | Le paquet |
| M54D2G3264A | 64 Mbx32 | L'équipement doit être équipé d'un système de récupération automatique. | - | 333/400/533MHz | 134 Boule BGA |
| M54D2G16128A | 128 Mbx16 | L'équipement doit être équipé d'un système de récupération automatique. | - | 333/400/533MHz | 134 Boule BGA |
| REM LPDDR3 SDR | |||||
| 1Gb | |||||
| Numéro de la partie | Organisation du projet | Définition | Récupérer | Vitesse (mHz) | Le paquet |
| M55D1G3232A ((2Y) | 32 Mbx32 | L'équipement doit être équipé d'un système de récupération automatique. | - | 800/ 933/ 1066 MHz | 178 Boule BGA |
| M55D1G1664A (2Y) | 64 Mbx16 | L'équipement doit être équipé d'un système de récupération automatique. | - | 800/ 933/ 1066 MHz | 178 Boule BGA |
| 4Gb | |||||
| Numéro de la partie | Organisation du projet | Définition | Récupérer | Vitesse (mHz) | Le paquet |
| Le nombre total d'équipements utilisés pour le contrôle de l'équipement est de: | 256 Mbx16 | L'équipement doit être équipé d'un système de récupération automatique. | - | 800/933/1066MHz | 178 Boule BGA |
| Le nombre total d'équipements utilisés est de: | 128 Mbx32 | L'équipement doit être équipé d'un système de récupération automatique. | - | 800/933/1066MHz | 178 Boule BGA |
| La RAM LPDDR4x est une RAM SDRAM | |||||
| 2Gb | |||||
| Numéro de la partie | Organisation du projet | Définition | Récupérer | Vitesse (mHz) | Le paquet |
| Le nombre total de véhicules ne doit pas dépasser 5 tonnes. | 128 Mbx16 | une mémoire LPDDR4x SDRAM, | - | 1866/2133 MHz | 200 boules BGA |
| 4Gb | |||||
| Numéro de la partie | Organisation du projet | Définition | Récupérer | Vitesse (mHz) | Le paquet |
| M56Z4G16256A ((2H) | 256 Mbx16 | une mémoire LPDDR4x SDRAM, | - | 1866/2133 MHz | 200 boules BGA |
| Le nombre de fois où le véhicule a été utilisé est supérieur à: | 128 Mbx32 | une mémoire LPDDR4x SDRAM, | - | 1866/2133 MHz | 200 boules BGA |
| 8Gb | |||||
| Numéro de la partie | Organisation du projet | Définition | Récupérer | Vitesse (mHz) | Le paquet |
| M56Z8G32256A | 256 Mbx32 | une mémoire LPDDR4x SDRAM, | - | 1866 MHz | 200 boules BGA |
| M56Z8G32256A (2H) | 256 Mbx32 | une mémoire LPDDR4x SDRAM, | - | 2133 MHz | 200 boules BGA |
PRODUITS CONNEXES
FM6BD1G1GMB-1.8BLCE 1G+1G (Flash NAND + LPDDR2) FM6BD1G1GMB(2M) FM62D1G1GMB (2G) FM6BD1G1GMB (2G)
FM6BD1G1GMB 1.8V 1Gb NAND Flash (128Mbx8) 1.8V 1Gb LPDDR2 SDRAM (32Mbx32) 45ns 400/533MHz 10.5x8 (mm) 162BGA
F59L1G81LB SLC NAND ou SLC NAND IC de mémoire flash F59L1G81LB-25TG2M
F59L1G81LB (2M) SLC NAND Flash x8 3.3V ECC:1bit/528Byte 25ns 48TSOPI/ 63BGA/ 67BGA
Pour les appareils de surveillance de l'environnement, le système de surveillance de l'environnement doit être équipé d'un système de surveillance de l'environnement.
256Mb 2.7V - 3.6V 104MHz/133MHz SPI NOR Flash Memory IC
EN29LV800D(2A) EN29LV160D(2W) EN29LV320C (2Y) EN29LV320CB-70BIP
Parallel NOR 32Mb Flash Memory Boot Sector IC EN29LV320CB-70BIP
M55D1G3232A(2Y) M55D1G1664A (2Y) 4 Go M55D4G16256A(2R) M55D4G32128A(2R) 2 Go M56Z2G16128A (2R) 4 Go M56Z4G16256A(2H) M56Z4G32128A (2R) 8 Go M56Z8G32256A M56Z8G32256A (2H)
LPDDR3 SDRAM LPDDR4x SDRAM M55D4G32128A-GFB
M52D64322AK1AG M52D5123216A M52D5121632A M52D2561616A(2F) M52D256328A(2F) CI SDRAM LPSDR
M52D64322A 2Mbx32 1.8V 4K 166MHz 54FBGA LPSDR SDRAM IC
M53D64164A (2C) M13D64322A (2S) M53D2561616A (2F) M53D256328A (2F) M53D5121632A M53D5123216A M53D1G1664A M53D1G3232A
M53D5123216A 16Mbx32 1.8V 8K 200MHz 144FBGA LPDDR SDRAM IC M53D5123216A-5B
M16U4G16256A-KJBG2Z M16U4G16256A-QLBG2Z
4Gb 256Mbx16 1.2V 1333/1600MHz DDR4 SDRAM M16U4G16256A M16U4G8512A 96BGA IC
128 Mo DRAM DDR SDRAM M13S128168A-5TG M13S128168A-6T M13S128168A-4T
M13S128168A (2S) 8Mbx16 2.5V 4K 160/200/250MHz 66TSOPII/ 60BGA DDR SDRAM IC
M13S64164A-5TG M13S64164A-5T 64 Mo DRAM DDR SDRAM IC
M13S64164A(2C) 64Mb 4Mbx16 DDR SDRAM 2.5V 4K 166/200/250MHz 66TSOPII IC
M12L5121632A-6TG2T 166MHz TSOP M12L5121632A-7TG2T 143MHz TSOP54 M12L5121632A-5BG2T 200MHz BGA M12L5121632A-6BG2T 166MHz BGA M12L5121632A-7BG2T 143MHz BGA
M12L5121632A 32Mbx16 SDRAM 3.3V 8K 143/166/200MHz 54pin TSOPII/54FBGA IC M12L5121632A-5TG2T
M12L2561616A-6TG2T M12L2561616A-6BIG2S ESMT SDRAM 3.3V CI de mémoire
M12L2561616A (2T) M12L16161A (2R) M12L16164A M12L64322A M12L128168A M12L5121632ASDRAM
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