M16U4G16256A-KJBG2Z M16U4G16256A-QLBG2Z
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Automobile
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Périphériques PC
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Elite Semiconductor Microelectronics Technology Inc. (ESMT) est une société de conception de circuits intégrés professionnelle, fondée en juin 1998 dans le parc industriel scientifique de Hsinchu à Taïwan. L'activité principale de la société comprend la conception, la fabrication, la vente et les services techniques de produits de circuits intégrés de sa propre marque. ESMT a été introduite avec succès en bourse à la Bourse de Taïwan, code 3006, en mars 2002.
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Produits SDRAM ESMT plus en stock :
Numéros de pièces DDR3 SDRAM :
| 512 Mo | |||||
| Numéro de pièce | Organisation | Description | Rafraîchissement | Vitesse (MHz) | Paquet |
| M15T5121632A | 32 Mo x16 | DDRIII SDRAM 1,35 V/ 1,5 V | - | 800/933 MHz | 96 Ball BGA |
| 1 Go | |||||
| Numéro de pièce | Organisation | Description | Rafraîchissement | Vitesse (MHz) | Paquet |
| M15T1G1664A (2S) | 64 Mo x16 | DDRIII SDRAM 1,35 V/ 1,5 V | - | 933/1066 MHz | 96 BAll BGA |
| M15T1G8128A(2S) | 128 Mo x8 | DDRIII SDRAM 1,35 V/ 1,5 V | - | 933/1066 MHz | 78 Ball BGA |
| M15T1G1664A (2T) | 64 Mo x16 | DDRIII SDRAM 1,35 V/ 1,5 V | - | 933/1066 MHz | 96 BAll BGA |
| M15T1G1664A (2Z) | 64 Mo x16 | DDRIII SDRAM 1,35 V/ 1,5 V | - | 933/1066 MHz | 96 BAll BGA |
| M15F1G1664A (2S) | 64 Mo x16 | DDRIII SDRAM 1,5 V | - | 933/1066/1200 MHz | 96 BAll BGA |
| 2 Go | |||||
| Numéro de pièce | Organisation | Description | Rafraîchissement | Vitesse (MHz) | Paquet |
| M15T2G8256A(2R) | 256 Mo x8 | DDRIII SDRAM 1,35 V/ 1,5 V | - | 800/933/1066 MHz | 78 Ball BGA |
| M15T2G16128A(2R) | 128 Mo x16 | DDRIII SDRAM 1,35 V/ 1,5 V | - | 800/933 MHz | 96 Ball BGA |
| M15T2G16128A(2P) | 128 Mo x16 | DDRIII SDRAM 1,35 V/ 1,5 V | - | 800/933/1066 MHz | 96 Ball BGA |
| M15T2G16128A (2D) | 128 Mo x16 | DDRIII SDRAM 1,35 V/ 1,5 V | - | 933/1066 MHz | 96 Ball BGA |
| M15T2G8256A (2D) | 256 Mo x8 | DDRIII SDRAM 1,35 V/ 1,5 V | - | 933/1066 MHz | 78 Ball BGA |
| 4 Go | |||||
| Numéro de pièce | Organisation | Description | Rafraîchissement | Vitesse (MHz) | Paquet |
| M15T4G16256A (2S) | 256 Mo x16 | DDRIII SDRAM 1,35 V/ 1,5 V | - | 800/933/1066 MHz | 96 Ball BGA |
| M15T4G16256A(2C) | 256 Mo x16 | DDRIII SDRAM 1,35 V/ 1,5 V | - | 800/933/1066 MHz | 96 Ball BGA |
| M15T4G16256A (2P) | 256 Mo x16 | DDRIII SDRAM 1,35 V/ 1,5 V | - | 933/1066 MHz | 96 Ball BGA |
| M15T4G8512A(2S) | 512 Mo x8 | DDRIII SDRAM 1,35 V/ 1,5 V | - | 800/933/1066 MHz | 78 Ball BGA |
| M15T4G8512A(2C) | 512 Mo x8 | DDRIII SDRAM 1,35 V/ 1,5 V | - | 800/933/1066 MHz | 78 Ball BGA |
| 8 Go | |||||
| Numéro de pièce | Organisation | Description | Rafraîchissement | Vitesse (MHz) | Paquet |
| M15T8G16512A(2S) | 512 Mo x16 | DDRIII SDRAM 1,35 V/1,5 V | - | 800/933/1066 MHz | 96 Ball BGA |
128 Mo DRAM DDR SDRAM M13S128168A-5TG M13S128168A-6T M13S128168A-4T
M13S64164A-5TG M13S64164A-5T 64MB DRAM DDR SDRAM IC
M12L5121632A-6TG2T 166MHz TSOP M12L5121632A-7TG2T 143MHz TSOP54 M12L5121632A-5BG2T 200MHz BGA M12L5121632A-6BG2T 166MHz BGA M12L5121632A-7BG2T 143MHz BGA
M13S64164A-5TG M13S64164A-5T M13S64164A(2C) Circuit intégré de mémoire DRAM DDR SDRAM ESMT
M12L2561616A-6TG2T M12L2561616A-6BIG2S ESMT SDRAM 3.3V CI de mémoire
| Image | partie # | Description | |
|---|---|---|---|
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128 Mo DRAM DDR SDRAM M13S128168A-5TG M13S128168A-6T M13S128168A-4T |
M13S128168A (2S) 8Mbx16 2.5V 4K 160/200/250MHz 66TSOPII/ 60BGA DDR SDRAM IC
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M13S64164A-5TG M13S64164A-5T 64MB DRAM DDR SDRAM IC |
M13S64164A(2C) 64Mb 4Mbx16 DDR SDRAM 2.5V 4K 166/200/250MHz 66TSOPII IC
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M12L5121632A-6TG2T 166MHz TSOP M12L5121632A-7TG2T 143MHz TSOP54 M12L5121632A-5BG2T 200MHz BGA M12L5121632A-6BG2T 166MHz BGA M12L5121632A-7BG2T 143MHz BGA |
M12L5121632A 32Mbx16 SDRAM 3.3V 8K 143/166/200MHz 54pin TSOPII/54FBGA IC M12L5121632A-5TG2T
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M13S64164A-5TG M13S64164A-5T M13S64164A(2C) Circuit intégré de mémoire DRAM DDR SDRAM ESMT |
ESMT DRAM DDR SDRAM Memory IC M13S64164A(2C) 4Mbx16 DDR SDRAM 2.5V 4K 166/200/250MHz
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M12L2561616A-6TG2T M12L2561616A-6BIG2S ESMT SDRAM 3.3V CI de mémoire |
M12L2561616A (2T) M12L16161A (2R) M12L16164A M12L64322A M12L128168A M12L5121632ASDRAM
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