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Maison > produits > Circuit intégré de microcontrôleur > M16U4G16256A-KJBG2Z M16U4G16256A-QLBG2Z

M16U4G16256A-KJBG2Z M16U4G16256A-QLBG2Z

fabricant:
ESMT (Elite Semiconductor Microelectronics Technology Inc.)
Description:
4 Go 256 Mbx16 1,2 V 1333/1600 MHz DDR4 SDRAM M16U4G16256A M16U4G8512A 96BGA IC
Catégorie:
Circuit intégré de microcontrôleur
Dans-actions:
en stock
Prix:
US$5.80
Méthode de paiement:
T/T
Méthode de transport:
Exprimer
Caractéristiques
Nom du produit:
4 Go 256 Mbx16 1,2 V 1333/1600 MHz DDR4 SDRAM M16U4G16256A M16U4G8512A 96BGA IC
Catégorie:
Circuits intégrés (CI)-M16U4G16256A-KJBG2Z M16U4G16256A-QLBG2Z
Package / étui:
BGA
Température de fonctionnement:
-40 ° C ~ 85 ° C (TA)
Type de montage:
Montage en surface
MFR:
ESMT
Numéro de produit de base:
M16U4G16256A
Numéros de pièces:
M16U4G16256A-KJBG2Z M16U4G16256A-QLBG2Z
Introduction
4 Go 256 Mo x16 1,2 V 1333/1600 MHz DDR4 SDRAM M16U4G16256A M16U4G8512A 96BGA IC
M16U4G16256A-KJBG2Z M16U4G16256A-QLBG2Z

 


 

Application :

Automobile
Réseaux
Grand public
Décodeur
Industriel
Affichage
IOT
Surveillance de sécurité
Appareils portables
Périphériques PC

M16U4G16256A-KJBG2Z M16U4G16256A-QLBG2Z

M16U4G16256A-KJBG2Z M16U4G16256A-QLBG2Z


Elite Semiconductor Microelectronics Technology Inc. (ESMT) est une société de conception de circuits intégrés professionnelle, fondée en juin 1998 dans le parc industriel scientifique de Hsinchu à Taïwan. L'activité principale de la société comprend la conception, la fabrication, la vente et les services techniques de produits de circuits intégrés de sa propre marque. ESMT a été introduite avec succès en bourse à la Bourse de Taïwan, code 3006, en mars 2002.

 

 

M16U4G16256A-KJBG2Z M16U4G16256A-QLBG2Z

M16U4G16256A-KJBG2Z M16U4G16256A-QLBG2Z

M16U4G16256A-KJBG2Z M16U4G16256A-QLBG2Z

M16U4G16256A-KJBG2Z M16U4G16256A-QLBG2ZM16U4G16256A-KJBG2Z M16U4G16256A-QLBG2ZM16U4G16256A-KJBG2Z M16U4G16256A-QLBG2Z

 

Produits SDRAM ESMT plus en stock :

Numéros de pièces DDR3 SDRAM :

512 Mo          
Numéro de pièce Organisation Description Rafraîchissement Vitesse (MHz) Paquet
M15T5121632A 32 Mo x16 DDRIII SDRAM 1,35 V/ 1,5 V - 800/933 MHz 96 Ball BGA
           
1 Go          
Numéro de pièce Organisation Description Rafraîchissement Vitesse (MHz) Paquet
M15T1G1664A (2S) 64 Mo x16 DDRIII SDRAM 1,35 V/ 1,5 V - 933/1066 MHz 96 BAll BGA
M15T1G8128A(2S) 128 Mo x8 DDRIII SDRAM 1,35 V/ 1,5 V - 933/1066 MHz 78 Ball BGA
M15T1G1664A (2T) 64 Mo x16 DDRIII SDRAM 1,35 V/ 1,5 V - 933/1066 MHz 96 BAll BGA
M15T1G1664A (2Z) 64 Mo x16 DDRIII SDRAM 1,35 V/ 1,5 V - 933/1066 MHz 96 BAll BGA
M15F1G1664A (2S) 64 Mo x16 DDRIII SDRAM 1,5 V - 933/1066/1200 MHz 96 BAll BGA
           
2 Go          
Numéro de pièce Organisation Description Rafraîchissement Vitesse (MHz) Paquet
M15T2G8256A(2R) 256 Mo x8 DDRIII SDRAM 1,35 V/ 1,5 V - 800/933/1066 MHz 78 Ball BGA
M15T2G16128A(2R) 128 Mo x16 DDRIII SDRAM 1,35 V/ 1,5 V - 800/933 MHz 96 Ball BGA
M15T2G16128A(2P) 128 Mo x16 DDRIII SDRAM 1,35 V/ 1,5 V - 800/933/1066 MHz 96 Ball BGA
M15T2G16128A (2D) 128 Mo x16 DDRIII SDRAM 1,35 V/ 1,5 V - 933/1066 MHz 96 Ball BGA
M15T2G8256A (2D) 256 Mo x8 DDRIII SDRAM 1,35 V/ 1,5 V - 933/1066 MHz 78 Ball BGA
           
4 Go          
Numéro de pièce Organisation Description Rafraîchissement Vitesse (MHz) Paquet
M15T4G16256A (2S) 256 Mo x16 DDRIII SDRAM 1,35 V/ 1,5 V - 800/933/1066 MHz 96 Ball BGA
M15T4G16256A(2C) 256 Mo x16 DDRIII SDRAM 1,35 V/ 1,5 V - 800/933/1066 MHz 96 Ball BGA
M15T4G16256A (2P) 256 Mo x16 DDRIII SDRAM 1,35 V/ 1,5 V - 933/1066 MHz 96 Ball BGA
M15T4G8512A(2S) 512 Mo x8 DDRIII SDRAM 1,35 V/ 1,5 V - 800/933/1066 MHz 78 Ball BGA
M15T4G8512A(2C) 512 Mo x8 DDRIII SDRAM 1,35 V/ 1,5 V - 800/933/1066 MHz 78 Ball BGA
           
8 Go          
Numéro de pièce Organisation Description Rafraîchissement Vitesse (MHz) Paquet
M15T8G16512A(2S) 512 Mo x16 DDRIII SDRAM 1,35 V/1,5 V - 800/933/1066 MHz 96 Ball BGA
 
PRODUITS CONNEXES
FM6BD1G1GMB-1.8BLCE 1G+1G (Flash NAND + LPDDR2) FM6BD1G1GMB(2M) FM62D1G1GMB (2G) FM6BD1G1GMB (2G)

FM6BD1G1GMB-1.8BLCE 1G+1G (Flash NAND + LPDDR2) FM6BD1G1GMB(2M) FM62D1G1GMB (2G) FM6BD1G1GMB (2G)

FM6BD1G1GMB 1.8V 1Gb NAND Flash (128Mbx8) 1.8V 1Gb LPDDR2 SDRAM (32Mbx32) 45ns 400/533MHz 10.5x8 (mm) 162BGA
F59L1G81LB SLC NAND ou SLC NAND IC de mémoire flash F59L1G81LB-25TG2M

F59L1G81LB SLC NAND ou SLC NAND IC de mémoire flash F59L1G81LB-25TG2M

F59L1G81LB (2M) SLC NAND Flash x8 3.3V ECC:1bit/528Byte 25ns 48TSOPI/ 63BGA/ 67BGA
Pour les appareils de surveillance de l'environnement, le système de surveillance de l'environnement doit être équipé d'un système de surveillance de l'environnement.

Pour les appareils de surveillance de l'environnement, le système de surveillance de l'environnement doit être équipé d'un système de surveillance de l'environnement.

256Mb 2.7V - 3.6V 104MHz/133MHz SPI NOR Flash Memory IC
EN29LV800D(2A) EN29LV160D(2W) EN29LV320C (2Y) EN29LV320CB-70BIP

EN29LV800D(2A) EN29LV160D(2W) EN29LV320C (2Y) EN29LV320CB-70BIP

Parallel NOR 32Mb Flash Memory Boot Sector IC EN29LV320CB-70BIP
M55D1G3232A(2Y) M55D1G1664A (2Y) 4 Go M55D4G16256A(2R) M55D4G32128A(2R) 2 Go M56Z2G16128A (2R) 4 Go M56Z4G16256A(2H) M56Z4G32128A (2R) 8 Go M56Z8G32256A M56Z8G32256A (2H)

M55D1G3232A(2Y) M55D1G1664A (2Y) 4 Go M55D4G16256A(2R) M55D4G32128A(2R) 2 Go M56Z2G16128A (2R) 4 Go M56Z4G16256A(2H) M56Z4G32128A (2R) 8 Go M56Z8G32256A M56Z8G32256A (2H)

LPDDR3 SDRAM LPDDR4x SDRAM M55D4G32128A-GFB
M52D64322AK1AG M52D5123216A M52D5121632A M52D2561616A(2F) M52D256328A(2F) CI SDRAM LPSDR

M52D64322AK1AG M52D5123216A M52D5121632A M52D2561616A(2F) M52D256328A(2F) CI SDRAM LPSDR

M52D64322A 2Mbx32 1.8V 4K 166MHz 54FBGA LPSDR SDRAM IC
M53D64164A (2C) M13D64322A (2S) M53D2561616A (2F) M53D256328A (2F) M53D5121632A M53D5123216A M53D1G1664A M53D1G3232A

M53D64164A (2C) M13D64322A (2S) M53D2561616A (2F) M53D256328A (2F) M53D5121632A M53D5123216A M53D1G1664A M53D1G3232A

M53D5123216A 16Mbx32 1.8V 8K 200MHz 144FBGA LPDDR SDRAM IC M53D5123216A-5B
128 Mo DRAM DDR SDRAM M13S128168A-5TG M13S128168A-6T M13S128168A-4T

128 Mo DRAM DDR SDRAM M13S128168A-5TG M13S128168A-6T M13S128168A-4T

M13S128168A (2S) 8Mbx16 2.5V 4K 160/200/250MHz 66TSOPII/ 60BGA DDR SDRAM IC
M13S64164A-5TG M13S64164A-5T 64 Mo DRAM DDR SDRAM IC

M13S64164A-5TG M13S64164A-5T 64 Mo DRAM DDR SDRAM IC

M13S64164A(2C) 64Mb 4Mbx16 DDR SDRAM 2.5V 4K 166/200/250MHz 66TSOPII IC
M12L5121632A-6TG2T 166MHz TSOP M12L5121632A-7TG2T 143MHz TSOP54 M12L5121632A-5BG2T 200MHz BGA M12L5121632A-6BG2T 166MHz BGA M12L5121632A-7BG2T 143MHz BGA

M12L5121632A-6TG2T 166MHz TSOP M12L5121632A-7TG2T 143MHz TSOP54 M12L5121632A-5BG2T 200MHz BGA M12L5121632A-6BG2T 166MHz BGA M12L5121632A-7BG2T 143MHz BGA

M12L5121632A 32Mbx16 SDRAM 3.3V 8K 143/166/200MHz 54pin TSOPII/54FBGA IC M12L5121632A-5TG2T
M13S64164A-5TG M13S64164A-5T M13S64164A(2C)  Circuit intégré de mémoire DRAM DDR SDRAM ESMT

M13S64164A-5TG M13S64164A-5T M13S64164A(2C) Circuit intégré de mémoire DRAM DDR SDRAM ESMT

ESMT DRAM DDR SDRAM Memory IC M13S64164A(2C) 4Mbx16 DDR SDRAM 2.5V 4K 166/200/250MHz
M12L2561616A-6TG2T M12L2561616A-6BIG2S ESMT SDRAM 3.3V CI de mémoire

M12L2561616A-6TG2T M12L2561616A-6BIG2S ESMT SDRAM 3.3V CI de mémoire

M12L2561616A (2T) M12L16161A (2R) M12L16164A M12L64322A M12L128168A M12L5121632ASDRAM
Image partie # Description
FM6BD1G1GMB-1.8BLCE 1G+1G (Flash NAND + LPDDR2) FM6BD1G1GMB(2M) FM62D1G1GMB (2G) FM6BD1G1GMB (2G)

FM6BD1G1GMB-1.8BLCE 1G+1G (Flash NAND + LPDDR2) FM6BD1G1GMB(2M) FM62D1G1GMB (2G) FM6BD1G1GMB (2G)

FM6BD1G1GMB 1.8V 1Gb NAND Flash (128Mbx8) 1.8V 1Gb LPDDR2 SDRAM (32Mbx32) 45ns 400/533MHz 10.5x8 (mm) 162BGA
F59L1G81LB SLC NAND ou SLC NAND IC de mémoire flash F59L1G81LB-25TG2M

F59L1G81LB SLC NAND ou SLC NAND IC de mémoire flash F59L1G81LB-25TG2M

F59L1G81LB (2M) SLC NAND Flash x8 3.3V ECC:1bit/528Byte 25ns 48TSOPI/ 63BGA/ 67BGA
Pour les appareils de surveillance de l'environnement, le système de surveillance de l'environnement doit être équipé d'un système de surveillance de l'environnement.

Pour les appareils de surveillance de l'environnement, le système de surveillance de l'environnement doit être équipé d'un système de surveillance de l'environnement.

256Mb 2.7V - 3.6V 104MHz/133MHz SPI NOR Flash Memory IC
EN29LV800D(2A) EN29LV160D(2W) EN29LV320C (2Y) EN29LV320CB-70BIP

EN29LV800D(2A) EN29LV160D(2W) EN29LV320C (2Y) EN29LV320CB-70BIP

Parallel NOR 32Mb Flash Memory Boot Sector IC EN29LV320CB-70BIP
M55D1G3232A(2Y) M55D1G1664A (2Y) 4 Go M55D4G16256A(2R) M55D4G32128A(2R) 2 Go M56Z2G16128A (2R) 4 Go M56Z4G16256A(2H) M56Z4G32128A (2R) 8 Go M56Z8G32256A M56Z8G32256A (2H)

M55D1G3232A(2Y) M55D1G1664A (2Y) 4 Go M55D4G16256A(2R) M55D4G32128A(2R) 2 Go M56Z2G16128A (2R) 4 Go M56Z4G16256A(2H) M56Z4G32128A (2R) 8 Go M56Z8G32256A M56Z8G32256A (2H)

LPDDR3 SDRAM LPDDR4x SDRAM M55D4G32128A-GFB
M52D64322AK1AG M52D5123216A M52D5121632A M52D2561616A(2F) M52D256328A(2F) CI SDRAM LPSDR

M52D64322AK1AG M52D5123216A M52D5121632A M52D2561616A(2F) M52D256328A(2F) CI SDRAM LPSDR

M52D64322A 2Mbx32 1.8V 4K 166MHz 54FBGA LPSDR SDRAM IC
M53D64164A (2C) M13D64322A (2S) M53D2561616A (2F) M53D256328A (2F) M53D5121632A M53D5123216A M53D1G1664A M53D1G3232A

M53D64164A (2C) M13D64322A (2S) M53D2561616A (2F) M53D256328A (2F) M53D5121632A M53D5123216A M53D1G1664A M53D1G3232A

M53D5123216A 16Mbx32 1.8V 8K 200MHz 144FBGA LPDDR SDRAM IC M53D5123216A-5B
128 Mo DRAM DDR SDRAM M13S128168A-5TG M13S128168A-6T M13S128168A-4T

128 Mo DRAM DDR SDRAM M13S128168A-5TG M13S128168A-6T M13S128168A-4T

M13S128168A (2S) 8Mbx16 2.5V 4K 160/200/250MHz 66TSOPII/ 60BGA DDR SDRAM IC
M13S64164A-5TG M13S64164A-5T 64 Mo DRAM DDR SDRAM IC

M13S64164A-5TG M13S64164A-5T 64 Mo DRAM DDR SDRAM IC

M13S64164A(2C) 64Mb 4Mbx16 DDR SDRAM 2.5V 4K 166/200/250MHz 66TSOPII IC
M12L5121632A-6TG2T 166MHz TSOP M12L5121632A-7TG2T 143MHz TSOP54 M12L5121632A-5BG2T 200MHz BGA M12L5121632A-6BG2T 166MHz BGA M12L5121632A-7BG2T 143MHz BGA

M12L5121632A-6TG2T 166MHz TSOP M12L5121632A-7TG2T 143MHz TSOP54 M12L5121632A-5BG2T 200MHz BGA M12L5121632A-6BG2T 166MHz BGA M12L5121632A-7BG2T 143MHz BGA

M12L5121632A 32Mbx16 SDRAM 3.3V 8K 143/166/200MHz 54pin TSOPII/54FBGA IC M12L5121632A-5TG2T
M13S64164A-5TG M13S64164A-5T M13S64164A(2C)  Circuit intégré de mémoire DRAM DDR SDRAM ESMT

M13S64164A-5TG M13S64164A-5T M13S64164A(2C) Circuit intégré de mémoire DRAM DDR SDRAM ESMT

ESMT DRAM DDR SDRAM Memory IC M13S64164A(2C) 4Mbx16 DDR SDRAM 2.5V 4K 166/200/250MHz
M12L2561616A-6TG2T M12L2561616A-6BIG2S ESMT SDRAM 3.3V CI de mémoire

M12L2561616A-6TG2T M12L2561616A-6BIG2S ESMT SDRAM 3.3V CI de mémoire

M12L2561616A (2T) M12L16161A (2R) M12L16164A M12L64322A M12L128168A M12L5121632ASDRAM
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Courant:
In Stock
Nombre de pièces:
10pieces