F59L4G81KSA-25BCIG2N BGA67 F59L4G81KSA-25TIG2N 48TSOPI F59L4G81KSA-25BIG2N BGA63
fabricant:
ESMT (Elite Semiconductor Microelectronics Technology Inc.)
Description:
ESMT DRAM DDR SDRAM mémoire IC M13S64164A(2C) 4Mbx16 DDR SDRAM 2.5V 4K 166/200/250MHz
Catégorie:
CI de circuits intégrés
Dans-actions:
En stock
Prix:
US$0.80
Méthode de paiement:
T/T
Méthode de transport:
exprimer
Caractéristiques
Caractéristiques:
F59L4G81KSA (2N) Circuit intégré de mémoire flash NAND 4 Gbits (512 M x 8) 3,3 V
Nom du produit:
F59L4G81KSA-25BCIG2N BGA67 F59L4G81KSA-25TIG2N 48TSOPI F59L4G81KSA-25BIG2N BGA63
Catégorie:
Circuits intégrés (CI)-F59L4G81KSA
Colis/Caisse:
TSOP/BGA
Température de fonctionnement:
-40 °C ~ 85 °C (TA)
Type de montage:
Montage en surface
Fabricant:
ESMT
Numéro de produit de base:
F59L4G81KSA
Introduction
F59L4G81KSA (2N) Mémoire Flash NAND 4 Gbit (512M x 8) 3,3 V IC
-F59L4G81KSA-25BCIG2N BGA67 F59L4G81KSA-25TIG2N 48TSOPI F59L4G81KSA-25BIG2N BGA63
Condition de température de fonctionnement -40°C~85°C
DESCRIPTION GÉNÉRALE
L'appareil est une mémoire Flash NAND SLC de 4 Gb, empilée par deux puces de 2 Gb pour certaines opérations et applications spéciales. L'appareil dispose de deux registres statiques de 2176 octets qui permettent de transférer les données de programme et de lecture entre le registre et la matrice de cellules mémoire par incréments de 2176 octets. L'opération d'effacement est implémentée dans une seule unité de bloc (128 Koctets + 8 Koctets). L'appareil est un dispositif de mémoire qui utilise les broches d'E/S pour l'entrée/sortie d'adresse et de données ainsi que pour les entrées de commande. Les opérations d'effacement et de programmation sont exécutées automatiquement, ce qui rend l'appareil le plus adapté aux applications telles que le stockage de fichiers à l'état solide, l'enregistrement vocal, la mémoire de fichiers d'images pour les appareils photo numériques et autres systèmes nécessitant un stockage de données en mémoire non volatile à haute densité.
Elite Semiconductor Microelectronics Technology Inc. (ESMT) est une société de conception de circuits intégrés professionnelle, fondée en juin 1998 dans le parc industriel scientifique de Hsinchu à Taïwan. L'activité principale de la société comprend la conception, la fabrication, la vente et les services techniques de produits de circuits intégrés de sa propre marque. ESMT est entrée avec succès en bourse à la Bourse de Taïwan, code 3006, en mars 2002.
Informations de commande :
| DRAM DDR SDRAM | |||||
| 64Mb | |||||
| Numéro de pièce | Organisation | Description | Rafraîchissement | Vitesse (MHz) | Boîtier |
| M13S64164A(2C) | 4Mbx16 | DDR SDRAM 2,5 V | 4K | 166/200/250MHz | 66 TSOPII |
| M13S64164A-5TG M13S64164A-5T | |||||
| 128Mb | |||||
| Numéro de pièce | Organisation | Description | Rafraîchissement | Vitesse (MHz) | Boîtier |
| M13S128168A (2S) | 8Mbx16 | DDR SDRAM 2,5 V | 4K | 160/200/250MHz | 66TSOPII/ 60BGA |
| 256Mb | |||||
| Numéro de pièce | Organisation | Description | Rafraîchissement | Vitesse (MHz) | Boîtier |
| M13S2561616A(2T) | 16Mbx16 | DDR SDRAM 2,5 V | 7,8 us | 166/200/250MHz | 66TSOPII/ 60BGA |
| 512Mb | |||||
| Numéro de pièce | Organisation | Description | Rafraîchissement | Vitesse (MHz) | Boîtier |
| M13S5121632A(2T) | 32Mbx16 | DDR SDRAM 2,5 V | 7,8 us | 166/200MHz | 66 broches TSOPII |
| DDR2 SDRAM | |||||
| 128Mb | |||||
| Numéro de pièce | Organisation | Description | Rafraîchissement | Vitesse (MHz) | Boîtier |
| M14D128168A (2Y) | 8Mbx16 | DDRII SDRAM, 1,8 V | 4K | 400/533/600/667MHz | 84 Ball FBGA |
| 256Mb | |||||
| Numéro de pièce | Organisation | Description | Rafraîchissement | Vitesse (MHz) | Boîtier |
| M14D2561616A(2S) | 16Mbx16 | DDRII SDRAM, 1,8 V | 8K | 400/533/667MHz | 84 Ball BGA |
| M14D2561616A(2C) | 16Mbx16 | DDRII SDRAM, 1,8 V | 8K | 400/533/667MHz | 84 ball BGA |
| 512Mb | |||||
| Numéro de pièce | Organisation | Description | Rafraîchissement | Vitesse (MHz) | Boîtier |
| M14D5121632A(2S) | 32Mbx16 | DDRII SDRAM, 1,8 V | - | 400/533/600/667MHz | 84 Ball BGA |
| M14D5121632A (2M) | 32Mbx16 | DDRII SDRAM, 1,8 V | 8K | 400/533/667MHz | 84 Ball BGA |
| 1 Gb | |||||
| Numéro de pièce | Organisation | Description | Rafraîchissement | Vitesse (MHz) | Boîtier |
| M14D1G1664A (2P) | 64Mbx16 | DDRII SDRAM 1,8 V | 8K | 400/533/600/667MHz | 84 Ball BGA |
| M14D1G8128A (2P) | 128Mbx8 | DDRII SDRAM 1,8 V | 8K | 400/533/600/667MHz | 60 Ball BGA |
| DDR3(L) SDRAM | |||||
| 512Mb | |||||
| Numéro de pièce | Organisation | Description | Rafraîchissement | Vitesse (MHz) | Boîtier |
| M15T5121632A | 32Mbx16 | DDRIII SDRAM 1,35 V/ 1,5 V | - | 800/933MHz | 96 Ball BGA |
| 1 Gb | |||||
| Numéro de pièce | Organisation | Description | Rafraîchissement | Vitesse (MHz) | Boîtier |
| M15T1G1664A (2S) | 64Mbx16 | DDRIII SDRAM 1,35 V/ 1,5 V | - | 933/1066MHz | 96 BAll BGA |
| M15T1G8128A(2S) | 128Mbx8 | DDRIII SDRAM 1,35 V/ 1,5 V | - | 933/1066MHz | 78 Ball BGA |
| M15T1G1664A (2T) | 64Mbx16 | DDRIII SDRAM 1,35 V/ 1,5 V | - | 933/1066MHz | 96 BAll BGA |
| M15T1G1664A (2Z) | 64Mbx16 | DDRIII SDRAM 1,35 V/ 1,5 V | - | 933/1066MHz | 96 BAll BGA |
| M15F1G1664A (2S) | 64Mbx16 | DDRIII SDRAM 1,5 V | - | 933/1066/1200MHz | 96 BAll BGA |
| 2 Gb | |||||
| Numéro de pièce | Organisation | Description | Rafraîchissement | Vitesse (MHz) | Boîtier |
| M15T2G8256A(2R) | 256Mbx8 | DDRIII SDRAM 1,35 V/ 1,5 V | - | 800/933/1066MHz | 78 Ball BGA |
| M15T2G16128A(2R) | 128Mbx16 | DDRIII SDRAM 1,35 V/ 1,5 V | - | 800/933MHz | 96 Ball BGA |
| M15T2G16128A(2P) | 128Mbx16 | DDRIII SDRAM 1,35 V/ 1,5 V | - | 800/933/1066MHz | 96 Ball BGA |
| M15T2G16128A (2D) | 128Mbx16 | DDRIII SDRAM 1,35 V/ 1,5 V | - | 933/1066MHz | 96 Ball BGA |
| M15T2G8256A (2D) | 256Mbx8 | DDRIII SDRAM 1,35 V/ 1,5 V | - | 933/1066MHz | 78 Ball BGA |
| 4 Gb | |||||
| Numéro de pièce | Organisation | Description | Rafraîchissement | Vitesse (MHz) | Boîtier |
| M15T4G16256A (2S) | 256Mbx16 | DDRIII SDRAM 1,35 V/ 1,5 V | - | 800/933/1066MHz | 96 Ball BGA |
| M15T4G16256A(2C) | 256Mbx16 | DDRIII SDRAM 1,35 V/ 1,5 V | - | 800/933/1066MHz | 96 Ball BGA |
| M15T4G16256A (2P) | 256Mbx16 | DDRIII SDRAM 1,35 V/ 1,5 V | - | 933/1066MHz | 96 Ball BGA |
| M15T4G8512A(2S) | 512Mbx8 | DDRIII SDRAM 1,35 V/ 1,5 V | - | 800/933/1066MHz | 78 Ball BGA |
| M15T4G8512A(2C) | 512Mbx8 | DDRIII SDRAM 1,35 V/ 1,5 V | - | 800/933/1066MHz | 78 Ball BGA |
| 8 Gb | |||||
| Numéro de pièce | Organisation | Description | Rafraîchissement | Vitesse (MHz) | Boîtier |
| M15T8G16512A(2S) | 512Mbx16 | DDRIII SDRAM 1,35 V/1,5 V | - | 800/933/1066MHz | 96 Ball BGA |
| DDR4 SDRAM | |||||
| 4 Gb | |||||
| Numéro de pièce | Organisation | Description | Rafraîchissement | Vitesse (MHz) | Boîtier |
| M16U4G16256A(2Z) | 256Mbx16 | DDR4 1,2 V | - | 1333/ 1600MHz | 96 Ball BGA |
| M16U4G8512A(2Z) | 512Mbx8 | DDR4 1,2 V | - | 1333/ 1600MHz | 78 Ball BGA |
| LPSDR SDRAM | |||||
| 64Mb | |||||
| Numéro de pièce | Organisation | Description | Rafraîchissement | Vitesse (MHz) | Boîtier |
| M52D64322A (2S) | 2Mbx32 | LPSDR SDRAM 1,8 V | 4K | 166MHz | 54 Ball FBGA |
| 256Mb | |||||
| Numéro de pièce | Organisation | Description | Rafraîchissement | Vitesse (MHz) | Boîtier |
| M52D2561616A(2F) | 16Mbx16 | LPSDR SDRAM 1,8 V | 8K | 143/166/200MHz | 54 Ball FBGA |
| M52D256328A(2F) | 8Mbx32 | LPSDR SDRAM 1,8 V | 4K | 143/166MHz | 90 Ball FBGA |
| 512Mb | |||||
| Numéro de pièce | Organisation | Description | Rafraîchissement | Vitesse (MHz) | Boîtier |
| M52D5123216A | 16Mbx32 | LPSDR SDRAM 1,8 V | 8K | 143/166MHz | 90 Ball BGA |
| M52D5121632A | 32Mbx16 | LPSDR SDRAM 1,8 V | 8K | 143/166/200MHz | 54 Ball FBGA |
| LPDDR SDRAM | |||||
| 64Mb | |||||
| Numéro de pièce | Organisation | Description | Rafraîchissement | Vitesse (MHz) | Boîtier |
| M53D64164A (2C) | 4Mbx16 | LPDDR SDRAM 1,8 V | 4K | 200/220MHz | 60 Ball BGA |
| M13D64322A (2S) | 2Mbx32 | LPDDR SDRAM 1,8 V | 4K | 200/222/250MHz | 144 Ball FBGA |
| 256Mb | |||||
| Numéro de pièce | Organisation | Description | Rafraîchissement | Vitesse (MHz) | Boîtier |
| M53D2561616A (2F) | 16Mbx16 | LPDDR SDRAM 1,8 V | 8K | 133/166/200MHz | 60 Ball BGA |
| M53D256328A (2F) | 8Mbx32 | LPDDR SDRAM 1,8 V | 8K | 133/166/200MHz | 144 Ball FBGA |
| 512Mb | |||||
| Numéro de pièce | Organisation | Description | Rafraîchissement | Vitesse (MHz) | Boîtier |
| M53D5121632A | 32Mbx16 | LPDDR SDRAM 1,8 V | 8K | 200MHz | 60 Ball BGA |
| M53D5123216A | 16Mbx32 | LPDDR SDRAM 1,8 V | 8K | 200MHz | 144 Ball FBGA |
| 1 Gb | |||||
| Numéro de pièce | Organisation | Description | Rafraîchissement | Vitesse (MHz) | Boîtier |
| M53D1G1664A | 64Mbx16 | LPDDR SDRAM 1,8 V | 8K | 133/166/200MHz | 60 Ball BGA |
| M53D1G3232A | 32Mbx32 | LPDDR SDRAM 1,8 V | 8K | 133/166/200MHz | 144 Ball FBGA |
| LPDDR2 SDRAM | |||||
| 512Mb | |||||
| Numéro de pièce | Organisation | Description | Rafraîchissement | Vitesse (MHz) | Boîtier |
| M54D5121632A | 32Mbx16 | LPDDR2 SDRAM 1,8 V/ 1,2 V | - | 400/ 533MHz | 134 Ball BGA |
| M54D5123216A | 16Mbx32 | LPDDR2 SDRAM 1,8 V/ 1,2 V | - | 400/ 533MHz | 134 Ball BGA |
| 1 Gb | |||||
| Numéro de pièce | Organisation | Description | Rafraîchissement | Vitesse (MHz) | Boîtier |
| M54D1G1664A | 64Mbx16 | LPDDR2 SDRAM 1,8 V/ 1,2 V | - | 333/400/533MHz | 134 BGA |
| M54D1G1664A (2G) | 64Mbx16 | LPDDR2 SDRAM 1,8 V/ 1,2 V | - | 400/533MHz | 134 BGA |
| M54D1G3232A (2G) | 32Mbx32 | LPDDR2 SDRAM 1,8 V/ 1,2 V | - | 400/533MHz | 134 BGA |
| M54D1G3232A | 32Mbx32 | LPDDR2 SDRAM 1,8 V/ 1,2 V | - | 333/400/533MHz | 134 BGA |
| 2 Gb | |||||
| Numéro de pièce | Organisation | Description | Rafraîchissement | Vitesse (MHz) | Boîtier |
| M54D2G3264A | 64Mbx32 | LPDDR2 SDRAM 1,8 V/ 1,2 V | - | 333/400/533MHz | 134 Ball BGA |
| M54D2G16128A | 128Mbx16 | LPDDR2 SDRAM 1,8 V/ 1,2 V | - | 333/400/533MHz | 134 Ball BGA |
| LPDDR3 SDRAM | |||||
| 1 Gb | |||||
| Numéro de pièce | Organisation | Description | Rafraîchissement | Vitesse (MHz) | Boîtier |
| M55D1G3232A(2Y) | 32Mbx32 | LPDDR3 SDRAM 1,8 V/ 1,2 V | - | 800/ 933/ 1066MHz | 178 Ball BGA |
| M55D1G1664A (2Y) | 64Mbx16 | LPDDR3 SDRAM 1,8 V/ 1,2 V | - | 800/ 933/ 1066MHz | 178 Ball BGA |
| 4 Gb | |||||
| Numéro de pièce | Organisation | Description | Rafraîchissement | Vitesse (MHz) | Boîtier |
| M55D4G16256A(2R) | 256Mbx16 | LPDDR3 SDRAM 1,8 V/ 1,2 V | - | 800/933/1066MHz | 178 Ball BGA |
| M55D4G32128A(2R) | 128Mbx32 | LPDDR3 SDRAM 1,8 V/ 1,2 V | - | 800/933/1066MHz | 178 Ball BGA |
| LPDDR4x SDRAM | |||||
| 2 Gb | |||||
| Numéro de pièce | Organisation | Description | Rafraîchissement | Vitesse (MHz) | Boîtier |
| M56Z2G16128A (2R) | 128Mbx16 | LPDDR4x SDRAM, | - | 1866/2133MHz | 200 Ball BGA |
| 4 Gb | |||||
| Numéro de pièce | Organisation | Description | Rafraîchissement | Vitesse (MHz) | Boîtier |
| M56Z4G16256A(2H) | 256Mbx16 | LPDDR4x SDRAM, | - | 1866/2133MHz | 200 Ball BGA |
| M56Z4G32128A (2R) | 128Mbx32 | LPDDR4x SDRAM, | - | 1866/2133MHz | 200 Ball BGA |
| 8 Gb | |||||
| Numéro de pièce | Organisation | Description | Rafraîchissement | Vitesse (MHz) | Boîtier |
| M56Z8G32256A | 256Mbx32 | LPDDR4x SDRAM, | - | 1866MHz | 200 Ball BGA |
| M56Z8G32256A (2H) | 256Mbx32 | LPDDR4x SDRAM, | - | 2133MHz | 200 Ball BGA |
PRODUITS CONNEXES
FC51L04SMSA FC51L04SFSA(2A) FC51L04SFSSA (2AF) FC51L08SFY3A FC51L08SFSA (2A) FC51J32SJTS2A (2D) FC51E64SBTS2A (2A)
FC51L04SFSA 2D MLC eMMC5.1 200MHz 153BGA eMCC Memory ICs FC51L04SFSAXSA1-2.58WE
FM73E885CQPB (2R) FM73E885CQP1B (2R) FM73E3285CRTP1B (2R EPOP
FM73E885CQP1B HS400 800/933MHz 136BGA 8GB eMMC+8Gb LPDDR3 or 32GB eMMC+8Gb LPDDR3 EPOP FM73E3285CRTP1B(2R)
| Image | partie # | Description | |
|---|---|---|---|
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FC51L04SMSA FC51L04SFSA(2A) FC51L04SFSSA (2AF) FC51L08SFY3A FC51L08SFSA (2A) FC51J32SJTS2A (2D) FC51E64SBTS2A (2A) |
FC51L04SFSA 2D MLC eMMC5.1 200MHz 153BGA eMCC Memory ICs FC51L04SFSAXSA1-2.58WE
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FM73E885CQPB (2R) FM73E885CQP1B (2R) FM73E3285CRTP1B (2R EPOP |
FM73E885CQP1B HS400 800/933MHz 136BGA 8GB eMMC+8Gb LPDDR3 or 32GB eMMC+8Gb LPDDR3 EPOP FM73E3285CRTP1B(2R)
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