FM6BD1G1GMB-1.8BLCE 1G+1G (Flash NAND + LPDDR2) FM6BD1G1GMB(2M) FM62D1G1GMB (2G) FM6BD1G1GMB (2G)
fabricant:
ESMT (Elite Semiconductor Microelectronics Technology Inc.)
Description:
FM6BD1G1GMB Flash NAND 1,8 V 1 Go (128 Mo x 8) SDRAM LPDDR2 1,8 V 1 Go (32 Mo x 32) 45 ns 400/533 MH
Catégorie:
Circuit intégré de microcontrôleur
Dans-actions:
En stock
Prix:
Contact us
Méthode de paiement:
T/T
Méthode de transport:
exprimer
Caractéristiques
Nom du produit:
FM6BD1G1GMB-1.8BLCE 1G+1G (Flash NAND + LPDDR2) FM6BD1G1GMB(2M) FM62D1G1GMB (2G) FM6BD1G1GMB (2G)
Description:
FM6BD1G1GMB Flash NAND 1,8 V 1 Go (128 Mo x 8) SDRAM LPDDR2 1,8 V 1 Go (32 Mo x 32) 45 ns 400/533 MH
Catégorie:
Circuits intégrés (CI)-FM6BD1G1GMB
Colis/Caisse:
10,5x8 (mm) 162BGA
Température de fonctionnement:
-40 °C ~ 85 °C (TA)
Type de montage:
Montage en surface
Fabricant:
ESMT
Numéro de produit de base:
FM6BD1G1GMB
Numéros de pièces:
FM6BD1G1GMB-1.8BLCEFM6BD1G1GMB(2M) FM62D1G1GMB (2G) FM6BD1G1GMB (2G)
Introduction
FM6BD1G1GMB-1.8BLCE 1G+1G (NAND Flash + LPDDR2) FM6BD1G1GMB(2M) FM62D1G1GMB (2G) FM6BD1G1GMB (2G)
Décrit:FM6BD1G1GMB 1.8V 1Gb NAND Flash (128Mbx8) 1.8V 1Gb LPDDR2 SDRAM (32Mbx32) 45ns 400/533MHz 10,5x8 (mm) 162BGA
Le numéro de téléphone est le numéro d'identification de l'appareil.
Plus de circuits intégrés de mémoire flash MCP numéro de pièce:
| 1G+1G (NAND Flash + LPDDR2) | |||
| Nombre de partie | Définition | Vitesse ((MHZ) | Le paquet |
| FM6BD1G1GMB ((2M) | 1.8V 1Gb NAND Flash (128Mbx8) + 1,8V 1Gb LPDDR2 SDRAM (32Mbx32) | 45 ns, 400/533 MHz | 10.5x8 (mm), une boule de 162 |
| FM62D1G1GMB (2G) | 1.8V 1Gb NAND Flash (128Mbx8) + 1,8V 1Gb LPDDR2 SDRAM (64Mbx16) Pour les appareils électroniques à puce | 45 ns, 400/533 MHz | 10.5x8 (mm), une boule de 162 |
| Le numéro de téléphone est le numéro d'identification de l'appareil. | 1.8V 1Gb NAND Flash (128Mbx8) + 1,8V 1Gb LPDDR2 SDRAM (32Mbx32) | 45 ns, 400/533 MHz | 10.5x8 (mm), une boule de 162 |
| 2G+1G (NAND Flash + LPDDR2) | |||
| Nombre de partie | Définition | Vitesse ((MHZ) | Le paquet |
| Le nombre d'équipements utilisés est déterminé en fonction de l'échantillon. | 1.8V 2Gb NAND Flash (256Mbx8) + 1,8V 1Gb LPDDR2 SDRAM (64Mbx16) | 30 ns, 400/533 MHz | 10.5x8 (mm), 162 balles |
| 2G+2G (NAND Flash + LPDDR2) | |||
| Nombre de partie | Définition | Vitesse ((MHZ) | Le paquet |
| FM6BD2G2GXA ((2M) | 1.8V 2Gb NAND Flash (256Mbx8) + 1,8V 2Gb LPDDR2 SDRAM (64Mbx32) | 30 ns; 400/533 MHz | 10.5x8 (mm), 162 balles |
| Le numéro de téléphone est le numéro d'identification de l'appareil. | 1.8V 2Gb NAND Flash (256Mbx8) + 1,8V 2Gb LPDDR2 SDRAM (64Mbx32) | 30 ns; 533 MHz | 10.5x8 (mm), 162 balles |
| Le nombre total d'émissions de dioxyde de carbone est déterminé en fonction du niveau de dioxyde de carbone. | 1.8V 2Gb NAND Flash (256Mbx8) + 1,8V 2Gb LPDDR2 SDRAM (128Mbx16) | 30 ns; 533 MHz | 10.5x8 (mm), 162 balles |
| Le numéro de téléphone est le numéro d'identification de l'appareil. | 1.8V 2Gb NAND Flash (256Mbx8) + 1,8V 2Gb LPDDR2 SDRAM (128Mbx16) | 45 ns; 533 MHz | 10.5x8 (mm), 162 balles |
| Le numéro de téléphone est le numéro d'identification de l'appareil. | 1.8V 2Gb NAND Flash (256Mbx8) + 1,8V 2Gb LPDDR2 SDRAM (64Mbx32) | 45 ns; 533 MHz | 10.5x8 (mm), 162 balles |
| 2G+2G (NAND Flash + LPDDR4x) | |||
| Nombre de partie | Définition | Vitesse ((MHZ) | Le paquet |
| Le nombre d'émissions de CO2 est déterminé en fonction du niveau de CO2. | 1.8V 2Gb NAND Flash (256Mbx8) + 1,8V 2Gb LPDDR4x SDRAM (128Mbx16) Pour les appareils électroniques à puce | 30 ns; 1866 MHz | 9.5x8 (mm), 149 balles |
| 4G+2G (NAND Flash + LPDDR2) | |||
| Nombre de partie | Définition | Vitesse ((MHZ) | Le paquet |
| Les données sont fournies à l'adresse suivante: | 1.8V 4Gb NAND Flash (512Mbx8) + 1,8V 2Gb LPDDR2 SDRAM (64Mbx32) | 30 ns; 533 MHz | 10.5x8 (mm), 162 balles |
| FM6BD4G2GXB(2X) | 1.8V 4Gb NAND Flash (512Mbx8) + 1,8V 2Gb LPDDR2 SDRAM (64Mbx32) | 30 ns; 533/400 MHz | 10.5x8 (mm), 162 balles |
| Le système de freinage doit être équipé d'un système de freinage de freinage de freinage. | 1.8V 4Gb NAND Flash (512Mbx8) + 1,8V 2Gb LPDDR2 SDRAM (128Mbx16) | 30 ns; 533 MHz | 10.5x8 (mm), 162 balles |
| Le numéro de téléphone est le numéro d'identification de l'appareil. | 1.8V 4Gb NAND Flash (512Mbx8) + 1,8V 2Gb LPDDR2 SDRAM (64Mbx32) | 45 ns; 533 MHz | 10.5x8 (mm), 162 balles |
| 4G+2G (NAND Flash + LPDDR4x) | |||
| Nombre de partie | Définition | Vitesse ((MHZ) | Le paquet |
| Le numéro de téléphone est le numéro de téléphone de l'entreprise. | 1.8V 4Gb NAND Flash (512Mbx8) + 1,8V 2Gb LPDDR4x SDRAM (128Mbx16) | 30 ns; 1866 MHz | 9.5x8 (mm), 149 balles |
| 4G+4G (NAND Flash + LPDDR2) | |||
| Nombre de partie | Définition | Vitesse ((MHZ) | Le paquet |
| FM6BD4G4GXB(2X) | 1.8V 4Gb NAND Flash (512Mbx8) + 1,8V 4Gb LPDDR2 SDRAM (128Mbx32) | 30 ns; 400/ 533 MHz | 10.5x8 (mm), une boule de 162 |
| Le système de freinage doit être équipé d'un système de freinage de freinage de freinage de freinage. | 1.8V 4Gb NAND Flash (512Mbx8) + 1,8V 4Gb LPDDR2 SDRAM (128Mbx32) | 30 ns; 533 MHz | 10.5x8 (mm), une boule de 162 |
| Le numéro d'enregistrement est le numéro d'enregistrement de l'appareil. | 1.8V 4Gb NAND Flash (512Mbx8) + 1,8V 4Gb LPDDR2 SDRAM (128Mbx32) | 45 ns; 533 MHz | 10.5x8 (mm), une boule de 162 |
| 4G+4G (NAND Flash + LPDDR4x) | |||
| Nombre de partie | Définition | Vitesse ((MHZ) | Le paquet |
| Le numéro de téléphone est le numéro d'identification de l'appareil. | 1.8V 4Gb NAND Flash (512Mbx8) + 1,8V 4Gb LPDDR4x SDRAM (256Mbx16) | 30 ns; 1866/2133 MHz | 9.5x8 (mm), 149 balles |
| 8G+8G (NAND Flash + LPDDR4x) | |||
| Nombre de partie | Définition | Vitesse ((MHZ) | Le paquet |
| Le numéro de téléphone est le numéro de téléphone de l'autorité compétente. | 1Pour les appareils de traitement des déchets électroniques | 30 ns; 1866/ 2133 MHz | 9.5x8 (mm), 149 balles |
| 16G+16G (NAND Flash + LPDDR4x) | |||
| Nombre de partie | Définition | Vitesse ((MHZ) | Le paquet |
| Le nombre d'écoulements est calculé en fonction de la fréquence de l'écoulement. | 1Pour les appareils de traitement des déchets électroniques | 30 ns; 2133 MHz | |
Applications:
Automobiles
Le réseautage
Consommateur
Boîte de réglage
Produits industriels
Affichage
IOT
Surveillance de la sécurité
Appareils portables
Périphériques de PC
Elite Semiconductor Microelectronics Technology Inc. (ESMT) est une société professionnelle de conception de circuits intégrés, fondée en juin 1998 dans le parc industriel scientifique de Hsinchu à Taiwan.L'activité principale de la société comprend la conception de produits IC de marque propre, la fabrication, les ventes et les services techniques. ESMT a été cotée avec succès à la Bourse de Taïwan, code 3006, en mars 2002.
Les produits ESMT SPI NAND Flash sont en stock:
| SPI NAND | |||
| 1Gb | |||
| Numéro de la partie | Définition | Vitesse (mHz) | Le paquet |
| Le nombre d'équipements utilisés est déterminé en fonction de l'échantillon de matériel. | Le système d'alarme SPI NAND, 3,3 V | 104 MHz | WSON à 8 contacts |
| Les États membres peuvent prévoir des mesures de prévention et de prévention. | L'éclairage SPI NAND flash, 1,8 V | 50 MHz | WSON à 8 contacts |
| Le nombre d'heures de travail est calculé en fonction de la durée de travail. | Le système d'alarme SPI NAND, 3,3 V | 104 MHz | WSON à 8 contacts/ BGA à 24 boules |
| 2Gb | |||
| Numéro de la partie | Définition | Vitesse (mHz) | Le paquet |
| Le nombre d'heures de travail est déterminé par le nombre d'heures de travail. | Le système d'alarme SPI NAND, 3,3 V | 104 MHz | WSON à 8 contacts |
| Le nombre d'équipements utilisés est déterminé en fonction de l'échantillon de véhicule. | Le système d'alarme SPI NAND, 3,3 V | 104 MHz | LGA à 8 contacts |
| Le nombre d'heures de travail est déterminé par le nombre d'heures de travail. | L'éclairage SPI NAND flash, 1,8 V | 83 MHz | LGA à 8 contacts |
| Le véhicule doit être équipé d'un dispositif de contrôle de la circulation. | L'éclairage SPI NAND flash, 1,8 V | 83/ 104 MHz | WSON à 8 contacts |
| 4Gb | |||
| Numéro de la partie | Définition | Vitesse (mHz) | Le paquet |
| Le numéro de téléphone est le numéro de téléphone de l'établissement. | Le système d'alimentation est équipé d'un système d'alimentation électrique | 83 MHz | LGA à 8 contacts |
| Le nombre total d'équipements utilisés est fixé par la réglementation. | Le système d'alarme SPI NAND, 3,3 V | 104 MHz | WSON à 8 contacts |
| Le nombre total d'équipements utilisés est fixé par la Commission. | Le système d'alimentation est équipé d'un système d'alimentation électrique | 83 MHz | LGA à 8 contacts |
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Parallel NOR 32Mb Flash Memory Boot Sector IC EN29LV320CB-70BIP
M55D1G3232A(2Y) M55D1G1664A (2Y) 4 Go M55D4G16256A(2R) M55D4G32128A(2R) 2 Go M56Z2G16128A (2R) 4 Go M56Z4G16256A(2H) M56Z4G32128A (2R) 8 Go M56Z8G32256A M56Z8G32256A (2H)
LPDDR3 SDRAM LPDDR4x SDRAM M55D4G32128A-GFB
M52D64322AK1AG M52D5123216A M52D5121632A M52D2561616A(2F) M52D256328A(2F) CI SDRAM LPSDR
M52D64322A 2Mbx32 1.8V 4K 166MHz 54FBGA LPSDR SDRAM IC
M53D64164A (2C) M13D64322A (2S) M53D2561616A (2F) M53D256328A (2F) M53D5121632A M53D5123216A M53D1G1664A M53D1G3232A
M53D5123216A 16Mbx32 1.8V 8K 200MHz 144FBGA LPDDR SDRAM IC M53D5123216A-5B
M16U4G16256A-KJBG2Z M16U4G16256A-QLBG2Z
4Gb 256Mbx16 1.2V 1333/1600MHz DDR4 SDRAM M16U4G16256A M16U4G8512A 96BGA IC
128 Mo DRAM DDR SDRAM M13S128168A-5TG M13S128168A-6T M13S128168A-4T
M13S128168A (2S) 8Mbx16 2.5V 4K 160/200/250MHz 66TSOPII/ 60BGA DDR SDRAM IC
M13S64164A-5TG M13S64164A-5T 64 Mo DRAM DDR SDRAM IC
M13S64164A(2C) 64Mb 4Mbx16 DDR SDRAM 2.5V 4K 166/200/250MHz 66TSOPII IC
M12L5121632A-6TG2T 166MHz TSOP M12L5121632A-7TG2T 143MHz TSOP54 M12L5121632A-5BG2T 200MHz BGA M12L5121632A-6BG2T 166MHz BGA M12L5121632A-7BG2T 143MHz BGA
M12L5121632A 32Mbx16 SDRAM 3.3V 8K 143/166/200MHz 54pin TSOPII/54FBGA IC M12L5121632A-5TG2T
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Courant:
In Stock
Nombre de pièces:
10pieces