M12L2561616A-6TG2T M12L2561616A-6BIG2S ESMT SDRAM 3.3V CI de mémoire
fabricant:
ESMT (Elite Semiconductor Microelectronics Technology Inc.)
Description:
M12L2561616A (2T) M12L16161A (2R) M12L16164A M12L64322A M12L128168A M12L5121632ASDRAM
Catégorie:
Circuit intégré de microcontrôleur
Dans-actions:
en stock
Prix:
US$0.80
Méthode de paiement:
T/T
Méthode de transport:
Exprimer
Caractéristiques
Nom du produit:
M12L2561616A-6TG2T M12L2561616A-6BIG2S ESMT SDRAM 3.3V CI de mémoire
Catégorie:
Circuits intégrés (CI)-M12L2561616A (2T) puces de mémoire SDRAM M12L2561616A-6TG2T
Package / étui:
TSSOP/BGA
Température de fonctionnement:
-40 ° C ~ 85 ° C (TA)
Type de montage:
Montage en surface
MFR:
ESMT
Numéro de produit de base:
M12L2561616A
Introduction
Puces de circuits intégrés de mémoire SDRAM M12L2561616A (2T)
M12L2561616A-6TG2T M12L2561616A-6BIG2S ESMT SDRAM 3.3V Circuit intégré de mémoire
| M12L2561616A (2T) | 16Mbx16 | SDRAM 3.3V | 8K | 143/166/200MHz |
Elite Semiconductor Microelectronics Technology Inc. (ESMT) est une société de conception de circuits intégrés professionnelle, fondée en juin 1998 dans le parc industriel scientifique de Hsinchu à Taïwan. L'activité principale de la société comprend la conception, la fabrication, la vente et les services techniques de produits de circuits intégrés de sa propre marque. ESMT a réussi son introduction en bourse à la Bourse de Taïwan, code 3006, en mars 2002.
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| M12L2561616A (2T) | 16Mbx16 | SDRAM 3.3V | 8K | 143/166/200MHz | Broche 54 TSOPII/ 54 Ball FBGA |
| M12L5121632A (2T) | 32Mbx16 | SDRAM 3.3V | 8K | 143/166/200MHz | Broche 54 TSOPII/ 54 Ball FBGA |
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| M12L5121632A-7BG2T 143MHz BGA Sans plomb |
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Courant:
In Stock
Nombre de pièces:
10pieces