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Semi-conducteurs discrets

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Transistors MOSFET discrets de puissance des semi-conducteurs SIHF10N40D-E3 de transistor de la Manche de N

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V20PWM45 Vishay Semiconductor TMBS Trench MOS Barrière Redresseur Schottky

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KBL410 KBL610 Pont redresseur de silicium KBPC610 Produits semi-conducteurs discrets

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TIP122 TIP127 TIP142P NPN PNP Transistor Semi-conducteurs discrets bipolaires

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IXYS IXGH24 Semi-conducteurs discrets IGBT haute tension IXGH24N170

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IHW30N160R2 Transistor IGBT H30R1602 Semi-conducteur de puissance

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IRFB4310PBF 100V 130A FET HEXFET Mosfet de puissance IRFB7440PBF 40V 120A

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Semi-conducteurs discrets à canal GT50N322A 50N322 IGBT N à montage traversant

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IRF1404 IRF1404PBF N Channel Power MOSFET 40V Semi-conducteurs discrets

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Infineon HEXFET MOSFET de puissance canal N 55V 30A DPAK IRLR3915TRPBF

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06N90E FMV06N90E FMH06N90E Semi-conducteurs discrets 900V 6A

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D15XB100 Pont redresseur pour cuisinière à induction 15A 1000V SIP4

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BTA16-800CW BTA16 TRIAC Thyristor 800V 16A Semi-conducteurs discrets

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IRF1404ZPBF Transistor à canal N 180A 200W HEXFET FET MOSFET

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NXH160T120L2Q1SG NXH160T120 MOD IGBT 1200V 140A 280W 30-PIM

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Module d'alimentation intégré PIM IGBT NXH160T120 IGBT MOD 1200V 140A 280W 30-PIM NXH160T120L2Q1
un demi
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MODULE IGBT NXH80T120L2Q0S2G 1200 V 67 A 158 W 20 PIM

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Module d'alimentation intégré NXH80T120 (PIM) type T NPC 1200 V 80 A IGBT 600 V 50 A IGBT soudab
un demi
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NXH450N65L4Q2F2SG I-Type NPC 650V 450A IGBT 650V 375A Diode broches à souder Module intégré de puissance (PIM)

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Broches à souder pour diode NPC 650V 450A IGBT 650V 375A, Module d'alimentation intégré (PIM) de
un demi
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Modules IGBT NXH160T120L2Q2F2S1G 1200 V 160 A et 650 V 100 A IGBTPower Module intégré (PIM)

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Module d'alimentation intégré PIM IGBT 1200V 160A et 650V 100A NXH160T120L2Q2F2S1G
un demi
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F3L400R07W3S5B11 F3L400R07W3S5_B59 F3L400R07W3S5BPSA1 F3L400R07W3S5 MODULE IGBT

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F3L400R07W3S5B11 650V 200A MODULE IGBT inverseur à 3 niveaux F3L400R07W3S5B11BPSA1
Les instruments du Texas
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Les données sont fournies par les autorités compétentes de l'État membre dans lequel elles sont situées.

Les données sont fournies par les autorités compétentes de l'État membre dans lequel elles sont situées.

APT94N65B2C3G Microsemi Corporation (maintenant Microchip) MOSFET N-CH 650V 94A T-MAX
Technologie des puces
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FSBB30CH60C IGBT IPM 600V 30A 27-MODULE PWRDIP Contrôle de mouvement pour appareils ménagers / Moteur industriel

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Module pilote de puissance FSBB30, triphasé 600 V, 30 A, module 27 PowerDIP (1,205", 30,60 mm)
Infineon Technologies
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AS2830AU ALPHA IC

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IC AS2830AU AS2830AU-3.3 AS2830AU-5.0
Les instruments du Texas
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D10XB60 Réducteurs de pont D10XB60H-7000 D10XB60-7000 D10XB60H

D10XB60 Réducteurs de pont D10XB60H-7000 D10XB60-7000 D10XB60H

D10XB60 Diode unique 600V 2.9A Pont redresseur SIP 4 broches
un demi
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D25SB60 D25SB10 D25SB20 D25SB40 D25SB80 D25SB100 LRC Redresseur en pont

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D25SB LRC Redresseur en pont monophasé moulé à passivation au verre à courant élevé Tension inverse
Ange-tech
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PM080P150CG Powercube Mosfet à tension moyenne

PM080P150CG Powercube Mosfet à tension moyenne

PM080P150CG Powercube Mosfet à tension moyenne pour les soins de santé
Un demi-cube de puissance
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JCZ3-3.6/D400-4 contacteur de tension contacteurs d'interrupteur contacteur de vide de maintien mécanique

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Contacteurs à vide de la série JCZ3 contacteurs à tension de commutateur de contacteurs de maintien
3m
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Composants électroniques de module d'alimentation de BSM50GD120DN2 BSM50GD120DN2BOSA1 IGBT

Composants électroniques de module d'alimentation de BSM50GD120DN2 BSM50GD120DN2BOSA1 IGBT

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IKW75N60TXK IKW75N60 K75T60 IGBT DISCRET par Infineon Technologies

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Amplificateur commandé IC TDF8546 DF8546JV/N2Z TDF8546J/N2 TDF8546JS d'autobus d'I2C

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FETs de transistors du transistor MOSFET 49V 80A de N-canal de BTS282Z E3230 TO220-7

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Semi-conducteurs discrets BJT de transistor bipolaire de PBHV8540X PBHV8540 Nexperia

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