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Semi-conducteurs discrets BJT de transistor bipolaire de PBHV8540X PBHV8540 Nexperia

Catégorie:
Semi-conducteurs discrets
Prix:
Negotiated
Méthode de paiement:
T/T, Western Union
Caractéristiques
Description:
Transport NPN 400V 0.5A SOT89
Famille:
Produits semi-conducteurs discrets
Catégorie:
Composant-transistors électroniques
Numéro de la pièce bas:
PBHV8540
Détails:
Transistor (BJT) bipolaire NPN 400 V 500 mA 30MHz 520 mW
Type:
Transistors - FET, MOSFET - Unique
Paquet:
SOT-89
Montage du type:
Bâti extérieur
Surligner:

PBHV8540X

,

PBHV8540

,

Transistor bipolaire de Nexperia BJT

Introduction

Transistor bipolaire 500V 0,5 de PBHV8540X PBHV8540 Nexperia (BJT) UN NPN transistor à haute tension de NPN un bas VCEsat (BISS)

Transistor à haute tension discret des produits-Un NPN bas VCEsat (BISS) de semi-conducteur

Description :

Percée à haute tension de NPN basse VCEsat dans le petit transistor du signal (BISS) dans une puissance SOT89 (SC-62) moyenne et un paquet en plastique du dispositif Surface-monté par avance plate (SMD). Complément de PNP : PBHV9040X.

Application :

• Conducteur de LED pour le module à chaînes de LED

• Contre-jour d'affichage à cristaux liquides

• Gestion des véhicules à moteur de moteur

• Commutateur de crochet pour des télécom de câble

• Alimentation d'énergie de mode de commutateur (SMPS)

Caractéristiques :

• Haute tension

• Basse tension de saturation de collecteur-émetteur VCEsat

• Capacité élevée IC et missile aux performances améliorées de courant de collecteur

• HFE élevé de gain actuel de collecteur chez haut IC

• AEC-Q101 a qualifié

Version de description de nom

Paquet surface-monté en plastique de PBHV8540X SOT89 ; meurent la protection pour le bon transfert de chaleur ; 3 avances

Spécifications techniques de produit

Catégorie
Produits semiconducteurs discrets
 
Transistors - bipolaires (BJT) - simples
Mfr
Nexperia USA Inc.
Statut de partie
Actif
Type de transistor
NPN
Actuel - collecteur (IC) (maximum)
500 mA
Tension - panne de collecteur-émetteur (maximum)
400 V
Saturation de Vce (maximum) @ Ib, IC
250mV @ 60mA, 300mA
Actuel - coupure de collecteur (maximum)
100nA
Gain actuel de C.C (hFE) (minute) @ IC, Vce
100 @ 50mA, 10V
Puissance - maximum
520 mW
Fréquence - transition
30MHz
Température de fonctionnement
150°C (TJ)
Montage du type
Bâti extérieur
Paquet/cas
TO-243AA
Paquet de dispositif de fournisseur
SOT-89
Nombre bas de produit
PBHV8540
Numéro de la pièce PBHV8540X, 115
UE RoHS Conforme avec l'exemption
ECCN (US) EAR99
Statut de partie Actif
HTS 8541.29.00.95

Images :

Semi-conducteurs discrets BJT de transistor bipolaire de PBHV8540X PBHV8540 NexperiaSemi-conducteurs discrets BJT de transistor bipolaire de PBHV8540X PBHV8540 Nexperia

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Courant:
Nombre de pièces:
10