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Transistors MOSFET discrets de puissance des semi-conducteurs SIHF10N40D-E3 de transistor de la Manche de N

Catégorie:
Semi-conducteurs discrets
Prix:
Negotiated
Méthode de paiement:
T/T, Western Union
Caractéristiques
Détails:
Transistor MOSFET N-CH 400V 10A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP
Type:
Transistors - transistor MOSFET de puissance
Famille:
Produits semi-conducteurs discrets - Redresseur
Catégorie:
composants électroniques
Numéro de la pièce bas:
SIHF10N40
Mode de la Manche:
Amélioration
Paquet:
TO220
Montage du type:
Par le trou
Surligner:

Transistors MOSFET de la puissance SIHF10N40D-E3

,

Transistor de la Manche de N

,

Semi-conducteurs discrets SIHF10N40D-E3

Introduction

Le transistor de canal des transistors MOSFET N de la puissance SIHF10N40D-E3 fonctionne en mode d'amélioration

La dissipation de puissance maximum du SIHF10N40D-E3 de Vishay est 33000 mW. Ce transistor de transistor MOSFET de canal de N fonctionne en mode d'amélioration.

Ce transistor de transistor MOSFET a une température de fonctionnement minimum du °C -55 et un maximum de 150 °C.

Si vous devez amplifier non plus ou commuter entre les signaux dans votre conception, alors le transistor MOSFET de puissance du SIHF10N40D-E3 de Vishay est pour vous.

Spécifications techniques de produit

UE RoHS Conforme
ECCN (US) EAR99
Statut de partie Actif
HTS 8541.29.00.95
Des véhicules à moteur Non
PPAP Non
Catégorie de produit Transistor MOSFET de puissance
Configuration Simple
Mode de la Manche Amélioration
Type de la Manche N
Nombre d'éléments par puce 1
Tension maximum de source de drain (v) 400
Tension de source de porte maximum (v) ±30
Tension maximum de seuil de porte (v) 5
Drain continu maximum (a) actuel 10
Courant maximum de fuite de source de porte (Na) 100
IDSS maximum (uA) 1
Résistance maximum de source de drain (MOhm) 600@10V
Charge typique @ Vgs (OR) de porte 15@10V
Charge typique @ 10V (OR) de porte 15
Capacité typique @ Vds (PF) d'entrée 526@100V
Dissipation de puissance maximum (mW) 33000
Temps typique d'automne (NS) 14
Temps de montée typique (NS) 18
Temps de retard d'arrêt typique (NS) 18
Temps de retard d'ouverture typique (NS) 12
Température de fonctionnement minimum (°C) -55
Température de fonctionnement maximum (°C) 150
Paquet de fournisseur TO-220FP
Pin Count 3
Nom de forfait standard TO-220
Support Par le trou
Taille de paquet 16,12 (maximum)
Longueur de paquet 10,63 (maximum)
Largeur de paquet 4,83 (maximum)
La carte PCB a changé 3
Étiquette Étiquette
Forme d'avance Par le trou
Numéro de la pièce SIHF10N40D-E3
Numéro de la pièce bas SIHF10N40
UE RoHS Conforme avec l'exemption
ECCN (US) EAR99
Statut de partie Actif
HTS 8541.29.00.95

Transistors MOSFET discrets de puissance des semi-conducteurs SIHF10N40D-E3 de transistor de la Manche de N

Transistors MOSFET discrets de puissance des semi-conducteurs SIHF10N40D-E3 de transistor de la Manche de N






Plus de numéro de la pièce pour le semi-conducteur général :

Numéro de la pièce MFG Type de Packge
JW1060 JuWell SOP8-E
SL1053 SILAN SOP8
ST8550D St TO-92
SS8050DBU St TO-92
PC847 FAIRCHILD DIP-16
PC817A FAIRCHILD DIP-4
PC123F DIÈSE DIP-4
OB2353 OB SOP-8
NE555P St DIP-8
MC34063 SUR SOP-8
LM7806 St TO-220
LM78051A St CONCESSION
LM358 St SOP-8
LM339 St CONCESSION
LM324 St SO-14 (SMD)
LM2575T St TO-220
LM 7815 St TO-220
LL4148-GS08 St LL34
L7812CV St TO-220
KA78M09 FAIRCHILD TO-252
IRFZ44V2A IR TO-220
IRFP460 IR TO-247
IRF840 IR TO-220
HEF4013 PHILIPS SOP-14
FQPF12N60C FAIRCHILD TO-220F
DTC143ZUAT106 ROHM SOT-323
DINS4 SHINDENGEN DIP-2
IRFR9024N IR TO-252N
BAV99 Philip SOT-23
BA033ST ROHM SOT252
AM5888SL/F AMTEL HSOP-28
93LC66B PUCE DIP-8
93LC46 PUCE DIP-8
93C46B PUCE SOP-8
78L05 St TO-92
78L05 St SOT89
74HC4066D Philip SMD
74HC4066 PHILIPS SO-14
74HC164 Philip CONCESSION
24LC128 PUCE DIP-8
24LC08B PUCE DIP-8
1N5822-B diodes inc. DO-201AD
MC1413DR2G SUR le semi-conducteur SOP-16
HEF4069 Philip SO-14 (MOTOROLA)
Envoyez le RFQ
Courant:
Nombre de pièces:
10