IRFB4310PBF 100V 130A FET HEXFET Mosfet de puissance IRFB7440PBF 40V 120A
100V 130A FET HEXFET Mosfet de puissance
,IRFB4310PBF
,IRFB7440PBF
IRFB7440PBF 40V 120A IRFB4310PBF 100V 130A IRFB4115PBF 150v 104A Transistors TO-220AB HEXFET FET MOSFET
Transistors N-Channel 180A 200W Through Hole TO-220AB HEXFET FET MOSFET
---IRFB7440PBF 40V 120A IRFB4310PBF 100V 130A IRFB4115PBF 150v 104A
La description:
Ce MOSFET de puissance HEXFET® utilise les dernières techniques de traitement pour obtenir une résistance à l'état passant extrêmement faible par zone de silicium.
Les caractéristiques supplémentaires de ce produit sont une température de fonctionnement de jonction de 175°C, une vitesse de commutation rapide et une meilleure résistance aux avalanches répétitives.Ces caractéristiques se combinent pour faire de cette conception un appareil extrêmement efficace et fiable pour une utilisation dans une grande variété d'applications.
Canal N 180A (Tc) 200W (Tc) Trou traversant TO-220AB Spécification :
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Catégorie
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Produits semi-conducteurs discrets
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Transistors - FET, MOSFET - Unique
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Fabricant
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Infineon Technologies
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Séries
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HEXFET®
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Paquet
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Tube
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Type FET
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Canal N
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La technologie
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MOSFET (oxyde métallique)
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Tension drain à source (Vdss)
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40V
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Courant - Vidange continue (Id) @ 25°C
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180A (TC)
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Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé)
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10V
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Rds On (Max) @ Id, Vgs
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3,7 mOhms à 75 A, 10 V
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Vgs(th) (Max) @ Id
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4V @ 250µA
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Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs
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150 nC à 10 V
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Vg (Max)
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±20V
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Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds
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4340 pF à 25 V
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Fonction FET
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-
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Dissipation de puissance (maximum)
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200W (TC)
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Température de fonctionnement
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-55°C ~ 175°C (TJ)
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Type de montage
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À travers le trou
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Ensemble d'appareils du fournisseur
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TO-220AB
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Paquet/caisse
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TO-220-3
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Numéro de produit de base
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IRF1404
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| ATTRIBUT | LA DESCRIPTION |
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| Statut RoHS | Conforme ROHS3 |
| Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL) | 1 (Illimité) |
| Statut REACH | REACH non affecté |
| ECCN | EAR99 |
| HTSUS | 8541.29.0095 |