IRF1404ZPBF Transistor à canal N 180A 200W HEXFET FET MOSFET
IRF1404ZPBF Transistor canal N
,180A 200W HEXFET FET MOSFET
,Transistor canal N 180A 200W
IRF1404ZPBF Transistors N-Channel 180A 200W Through Hole TO-220AB HEXFET FET MOSFET
Canal N 180A (Tc) 200W (Tc) Trou traversant TO-220AB Spécification :
Catégorie
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Produits semi-conducteurs discrets
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Transistors - FET, MOSFET - Unique
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Fabricant
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Infineon Technologies
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Séries
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HEXFET®
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Paquet
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Tube
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Type FET
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Canal N
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La technologie
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MOSFET (oxyde métallique)
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Tension drain à source (Vdss)
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40V
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Courant - Vidange continue (Id) @ 25°C
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180A (TC)
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Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé)
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10V
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Rds On (Max) @ Id, Vgs
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3,7 mOhms à 75 A, 10 V
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Vgs(th) (Max) @ Id
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4V @ 250µA
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Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs
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150 nC à 10 V
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Vg (Max)
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±20V
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Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds
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4340 pF à 25 V
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Fonction FET
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-
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Dissipation de puissance (maximum)
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200W (TC)
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Température de fonctionnement
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-55°C ~ 175°C (TJ)
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Type de montage
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À travers le trou
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Ensemble d'appareils du fournisseur
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TO-220AB
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Paquet/caisse
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TO-220-3
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Numéro de produit de base
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IRF1404
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La description
Ce MOSFET de puissance HEXFET® utilise les dernières techniques de traitement pour obtenir une résistance à l'état passant extrêmement faible par zone de silicium.
Les caractéristiques supplémentaires de ce produit sont une température de fonctionnement de jonction de 175°C, une vitesse de commutation rapide et une meilleure résistance aux avalanches répétitives.Ces caractéristiques se combinent pour faire de cette conception un appareil extrêmement efficace et fiable pour une utilisation dans une grande variété d'applications.
ATTRIBUT | LA DESCRIPTION |
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Statut RoHS | Conforme ROHS3 |
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL) | 1 (Illimité) |
Statut REACH | REACH non affecté |
ECCN | EAR99 |
HTSUS |
8541.29.0095 |
Numéro d'article | IRF1404ZPBF |
Numéro de pièce de base | IRF1404 |
RoHS UE | Conforme à l'exonération |
ECCN (États-Unis) | EAR99 |
Statut de la pièce | actif |
HTS | 8541.29.00.95 |