Les résultats de l'enquête
| Image | partie # | Description | fabricant | Courant | RFQ | |
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K4A8G085WG-BCWE K4A8G085WG-BCWE000 K4A4G085WE-BCRC K4A4G085WE-BCPB K4A4G085WE-BCTD K4A4G085WE-BITD K4A4G085WF-BCTD K4A4G085WF-BITD |
K4A8G085WG CI de mémoire flash Samsung K4A8G085WG-BCWE
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W664GG6RB-06 W664GG6RB06I CI DRAM 4 Go DDR4 Alternative K4A4G165WF-BCTD |
W664GG6RB IC DRAM 4 Go DDR4 1,2 V SDRAM X16 1600 MH POD12 96 VFBGA
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BWET08U -XXG SPI (Interface Périphérique Série) IC de mémoire flash NAND pour réseau de vêtements intelligents |
Le stockage Flash SLC NAND de qualité industrielle compense la faible capacité, le prix élevé et la
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BWME8X32H2A-24Gb BWMYAX32P8A-32G BWMYAX32P8A-64G Circuit intégré LPDDR pour smartphone |
LPDDR (pour Low Power Double Data Rate) La SDRAM est une sorte de DDR, caractérisée principalement p
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DMMC BGA132/BGA152/TSOP48 IC pour véhicule/téléphone intelligent/jeu |
La solution DMMC adopte une conception hautement intégrée en ajoutant un contrôleur basse consommati
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BWS3BTCDC-60G BWS3BTCDC-120G BGA SSD Flash IC Pour le véhicule / ordinateur portable |
eSSD est une solution de pilote à semi-conducteurs intégrée conçue sous la forme d'un packaging
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UFB2750K60N UFB2752Q12N-32G UFB2752Q12N-64G UFB2752Q12N-128G |
BIWIN UFS Chips est une puce de mémoire intégrée de nouvelle génération
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Puces CI EPOP LPDDR4X pour montres intelligentes, réalité augmentée/réalité virtuelle |
Les puces BIWIN ePOP combinent MMC et Mobile LPDDR dans un seul package avec différentes capacités
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Le système de gestion de l'information est basé sur les données fournies par le système de gestion de l'information. |
Les puces BIWIN eMCP sont basées sur MCP (Multi-Chip Packaging) qui intègre une puce eMMC et une sol
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