BWS3BTCDC-60G BWS3BTCDC-120G BGA SSD Flash IC Pour le véhicule / ordinateur portable
BWS3BTCDC-60G BWS3BTCDC-120G BGA SSD Flash IC Pour le véhicule / ordinateur portable
Applications:
Numéro d'immatriculation
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Un eSSD se caractérise par sa faible consommation d'énergie et étant un dispositif de mémoire non volatil, il peut maintenir les données stockées sans alimentation électrique.haute tolérance aux chocs et aux vibrations.
Les spécifications:
| Interface | Le PCIe 4.0 x 2 |
| Le PCIe 3.0 x 2 | |
| SATA III | |
| Les dimensions | Le nombre de points de contact doit être déterminé en tenant compte de l'état de l'appareil et de l'état de l'appareil. |
| Le nombre de points de contact doit être déterminé en tenant compte de l'état de l'appareil et de l'état de l'appareil. | |
| SATA III: 16,00 × 20,00 mm | |
| Max. Lecture séquentielle | Le système de mesure de la fréquence de l'appareil doit être configuré de manière à ce que la fréquence de l'appareil ne dépasse pas 10 Hz. |
| Le système de mesure de l'échantillon doit être conforme à l'annexe I. | |
| SATA III: 470 Mo/s | |
| Max. Écrire séquentiellement | Le système de mesure de la fréquence de l'appareil doit être conforme à l'annexe I. |
| Le système de mesure de la fréquence de l'appareil doit être conforme à l'annexe I. | |
| SATA III: 350 Mo/s | |
| Fréquence | / |
| Capacité | PCIe 4.0 x 2: 256 Go - 1 To |
| PCIe 3.0 x 2: 128 Go - 256 Go | |
| SATA III: 32 Go - 256 Go | |
| Voltage de fonctionnement | Le système d'aiguillage doit être équipé d'un système d'aiguillage à haute tension. |
| La fréquence d'écoulement de l'électricité est calculée en fonction de la fréquence de l'électricité utilisée. | |
| SATA III: VCC = 3,3 V, VCCQ = 1,8 V, VCCK = 1,1 V | |
| Température de fonctionnement | Grade de consommation: 0°C à 70°C |
| Grade industriel: -25°C à 85°C | |
| Plateformes de vérification agréées | / |
| Emballage | Le système de contrôle de la qualité doit être conforme aux exigences du présent règlement. |
| Le système de contrôle de la qualité doit être conforme à l'annexe II. | |
| SATA III: FBGA157 | |
| Application du projet | Numéro d'immatriculation |
BWET08U -XXG SPI (Interface Périphérique Série) IC de mémoire flash NAND pour réseau de vêtements intelligents
BWME8X32H2A-24Gb BWMYAX32P8A-32G BWMYAX32P8A-64G Circuit intégré LPDDR pour smartphone
DMMC BGA132/BGA152/TSOP48 IC pour véhicule/téléphone intelligent/jeu
UFB2750K60N UFB2752Q12N-32G UFB2752Q12N-64G UFB2752Q12N-128G
Puces CI EPOP LPDDR4X pour montres intelligentes, réalité augmentée/réalité virtuelle
Le système de gestion de l'information est basé sur les données fournies par le système de gestion de l'information.
| Image | partie # | Description | |
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BWET08U -XXG SPI (Interface Périphérique Série) IC de mémoire flash NAND pour réseau de vêtements intelligents |
The industrial-grade SLC NAND Flash storage, makes up for the low capacity, high price and low speed of SPI NOR Flash
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BWME8X32H2A-24Gb BWMYAX32P8A-32G BWMYAX32P8A-64G Circuit intégré LPDDR pour smartphone |
LPDDR (stands for Low Power Double Data Rate) SDRAM is a kind of DDR, being mainly characterized by its Low Power consum
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DMMC BGA132/BGA152/TSOP48 IC pour véhicule/téléphone intelligent/jeu |
DMMC solution adopts a highly integrated design by adding a low-power controller to the NAND flash
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UFB2750K60N UFB2752Q12N-32G UFB2752Q12N-64G UFB2752Q12N-128G |
BIWIN UFS Chips is a next-generation embedded memory chip
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Puces CI EPOP LPDDR4X pour montres intelligentes, réalité augmentée/réalité virtuelle |
BIWIN ePOP Chips combines MMC and Mobile LPDDR in a single package with different capacities
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Le système de gestion de l'information est basé sur les données fournies par le système de gestion de l'information. |
BIWIN eMCP Chips is based on MCP (Multi-Chip Packaging) which integrates an eMMC chip and a low-power DRAM solution into
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