13N60ES FMV13N60ES FMV30N60S1 MOSFET
Caractéristiques
Catégorie:
Composants électroniques-igbts transistors-mosfet
Famille:
Produits semiconducteurs discrets
Taper:
N-CH MOSFET
Numéro de la pièce bas:
13N60E
Détails:
FMV13N60ES 600V 30A N CHANEL MOSFET FMV30N60S1 13N60ES
Applications:
Cuisine inductive , Applications de commutation molle
Description:
IGBT NPT, Trench Field Stop 1600 V 60 A 312 W à travers le trou PG-TO247-3-1
Emballer:
TO220
Type de montage:
Par le trou
Introduction
Le système est équipé d'un moteur de commande à commande numérique.
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Applications:
• Cuisson par induction
• Applications de commutation souple
Les caractéristiques du système sont les suivantes:
| Numéro de pièce | Les données sont fournies par les autorités compétentes de l'État membre dans lequel elles se trouvent. |
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Catégorie
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Produits à base de semi-conducteurs discrets
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Transistors - IGBT - Uniques
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Série
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Le débit de l'appareil est de 0,01 W/m2.
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Le paquet
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Tuyaux
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Température de fonctionnement
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-40°C à 175°C (TJ)
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Type de montage
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À travers le trou
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Emballage / boîtier
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TO-220
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Paquet de dispositifs fournis par le fournisseur
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TO-220 3P
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Classifications environnementales et d'exportation
| Attribut | Définition |
|---|---|
| Statut de la réglementation RoHS | Conforme à la norme ROHS3 |
| Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL) | 1 (sans limite) |
| Statut REACH | REACH Non affecté |
| Nom de la banque | Résultats de l'enquête |
| HTSUS |
8541.29.0095 |
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| Image | partie # | Description | |
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Envoyez le RFQ
Courant:
In Stock
Nombre de pièces:
10pieces

