19N60E FMV19N60E Transistors FUJI
Composants électroniques Circuits intégrés (CI)
19N60E FMV19N60E Transistors N-Channel Power MOSFET
Spécification : Power MOSFET N-Channel 1KV 8A 3-Pin(3+Tab) TO-3P
Catégorie | Circuits intégrés (CI) |
Nom du produit | Composants électroniques |
Numéro de modèle | 19N60E FMV19N60E Transistors N-Channel TO-3P Power MOSFET |
Fabricant | ONSEMI |
Série | 19N60E Power MOSFET N-Channe 3-Pin(3+Tab) TO-3P |
Paquet | Paquet standard |
Condition | Emballage neuf et original |
Délai de livraison | En stock, peut être expédié dès que possible |
Caractéristiques | Power MOSFET N-Channel 1KV 8A 3-Pin(3+Tab) TO-3P |
Boîtier / Conditionnement | TO3P |
Type de montage | TRAVERSANT |
Numéro de produit de base | 8N100 |
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ATTRIBUT | DESCRIPTION |
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Statut RoHS | Conforme ROHS3 |
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL) | 3 (168 heures) |
Statut REACH | REACH non affecté |
ECCN | EAR99 |
HTSUS | 8542.39.0001 |
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et des circuits intégrés (CI) de traitement du signal numérique (DSP) utilisés dans pratiquement tous les types d'équipements électroniques.

Le nombre d'émissions de CO2 est calculé en fonction de la fréquence à laquelle elles sont produites et de la fréquence à laquelle elles sont produites.

Les données de référence sont fournies par les autorités compétentes.
Image | partie # | Description | |
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Le nombre d'émissions de CO2 est calculé en fonction de la fréquence à laquelle elles sont produites et de la fréquence à laquelle elles sont produites. |
FM25V20 FM25V020 FUJI FRAM Memory Circuit IC
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Les données de référence sont fournies par les autorités compétentes. |
IGBT, 7 PACK MOD, 1200V, 15A, M711; Module Configuration: Seven; Transistor Polarity: N Channel; DC Collector
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