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Planaire épitaxial de silicium de diodes de commutation 1SS226 pour la commutation ultra à grande vitesse

Catégorie:
Diodes Transistors
Dans-actions:
En stock
Prix:
Negotiated
Méthode de paiement:
T/T, Western Union
Caractéristiques
Catégorie:
Composant-diodes électroniques
Caractéristiques:
Planaire épitaxial de silicium de diodes de commutation 1SS226
Famille:
NPN a polarisé le transistor SOT-323 de signal
Support:
Montage en surface
Application:
Commutation d'Ultra-Haut-vitesse
Paquet:
3-Pin SOT23
Description:
Puissance, salut diode de changement 0.1A 80V VR de commutateur de SPD
Délai d'exécution:
En stock
Mettre en évidence:

Planaire épitaxial de silicium de diodes de commutation

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Planaire épitaxial de changement à grande vitesse de silicium

,

Transistors de diodes de commutation 1SS226

Introduction

Planaire épitaxial de silicium de diodes de commutation 1SS226 pour la commutation d'Ultra-Haut-vitesse

1. Applications

• Commutation d'Ultra-Haut-vitesse

2. Caractéristiques

(1) AEC-Q101 a qualifié

Planaire épitaxial de silicium de diodes de commutation 1SS226 pour la commutation ultra à grande vitesse
Caractéristique Commutation ultra-rapide
Connexion interne Série
Nombre de circuits 2
AEC-Q101 Qualifié (*)
Produits compatibles de RoHS (#) Disponible

1SS226TE85IF

Diode commutant 85V 0.1A 3-Pin S-mini T/R

Planaire épitaxial de silicium de diodes de commutation 1SS226 pour la commutation ultra à grande vitessePlanaire épitaxial de silicium de diodes de commutation 1SS226 pour la commutation ultra à grande vitesse

Planaire épitaxial de silicium de diodes de commutation 1SS226 pour la commutation ultra à grande vitesse

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Courant:
In Stock
Nombre de pièces:
100pcs