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Transistors à diodes 60V 10.8A FETS DMT6009LSS-13 MOSFET simple canal N

Catégorie:
Diodes Transistors
Prix:
Negotiated
Méthode de paiement:
T/T, Western Union
Caractéristiques
Description:
Canal N 60 V 10,8 A (Ta) 1,25 W (Ta) Montage en surface 8-SO
Catégorie:
Composants électroniques - Semi-conducteur discret
Type:
MOSFET 60V N-Ch Enh FET 20Vgss 12mOhm 4.5Vgs
Famille:
Diodes Transistors
Support:
Montage en surface
Application:
Alimentation à découpage Adaptateur Éclairage Convertisseur
Paquet:
SOP8
Serise:
MOSFET N-CH 60V 10.8A 8SO T&R 2
Nom de produit:
DMT6009LSS-13 Diodes de transistors MOSFET N à canal unique 60V 10.8A
Surligner:

Transistors à diodes 60V 10.8A

,

DMT6009LSS-13

,

Transistors FETS DMT6009LSS-13

Introduction

DMT6009LSS-13 transistors simples de la Manche 60V 10.8A du transistor MOSFET N

Semi-conducteur discret du transistor MOSFET N-CH 60V 10.8A 8SO T&R 2 de FETS

Spécifications DMT6009LSS-13 :

Numéro de la pièce DMT6009LSS-13
Catégorie
Produits semiconducteurs discrets
 
Transistors - FETs, transistors MOSFET - simples
Mfr
Diodes incorporées
Série
-
Paquet
Bande et bobine (TR)
Statut de partie
Actif
Type de FET
N-canal
Technologie
Transistor MOSFET (oxyde de métal)
Vidangez à la tension de source (Vdss)
60 V
Actuel - drain continu (identification) @ 25°C
10.8A (ventres)
Tension d'entraînement (Max Rds On, Min Rds On)
4.5V, 10V
Le RDS sur (maximum) @ l'identification, Vgs
9.5mOhm @ 13.5A, 10V
Identification de Vgs (Th) (maximum) @
2V @ 250µA
Charge de porte (Qg) (maximum) @ Vgs
33,5 OR @ 10 V
Vgs (maximum)
±20V
Capacité d'entrée (Ciss) (maximum) @ Vds
1925 PF @ 30 V
Caractéristique de FET
-
Dissipation de puissance (maximum)
1.25W (ventres)
Température de fonctionnement
-55°C | 150°C (TJ)
Montage du type
Bâti extérieur
Paquet de dispositif de fournisseur
8-SO
Paquet/cas
8-SOIC (0,154", largeur de 3.90mm)
Nombre bas de produit
DMT6009

Produits connexes :

CARACTÉRISTIQUES DMT6009LSS-13
* puce passivée en verre
* passe-fils intégré
* de faible induction
* dissipation de puissance inverse maximale élevée
* basse fuite inverse
* estimation d'ESD de la classe 3 (> 20 kilovolts) par modèle de corps humain

Transistors à diodes 60V 10.8A FETS DMT6009LSS-13 MOSFET simple canal N

Transistors à diodes 60V 10.8A FETS DMT6009LSS-13 MOSFET simple canal N

Transistors à diodes 60V 10.8A FETS DMT6009LSS-13 MOSFET simple canal N

Transistors à diodes 60V 10.8A FETS DMT6009LSS-13 MOSFET simple canal N

Diodes de commutation d'approvisionnement d'Ange-technologie, diodes Zener, redresseurs de barrière de Schottky, ponts redresseurs, dispositifs de protection de TV, d'ESD, transistors bipolaires, transistors MOSFET, thyristors, etc., qui sont conformés à RoHS et à norme de PORTÉE. Notre usine certifiée a plus de 500 employés capables de produire les composants uniformément fiables de semi-conducteur 1,5 milliards annuellement. Notre société la gestion-système la plus avancée avec équipement et d'ERP est investie dans établir une bonne image du marché. L'usine a passé la certification de la qualité ISO9001, certification de système de la gestion ISO14001 environnementale. Tous les produits ont passé l'essai de GV, les critères de ROHS et de PORTÉE 1907/2010/EC 48. Avec l'amélioration continue de la qualité du produit et du support technique après-vente professionnel, nous avons gagné la confiance des clients dans la marque de la société. Nos produits sont très utilisés dans la PUISSANCE de PC, l'éclairage vert, les boîtiers décodeur, les produits numériques, le contrôle des véhicules à moteur et industriel, le matériel de transmissions et d'autres domaines, qui sert des clients dans les fabricants bien connus domestiques et étrangers. « La nouveauté, l'amélioration et la nouveauté de recherche » est traitée en tant que notre politique de l'environnement de qualité. Nous avons de bonne foi et la crédibilité dans nos produits. Après des années du développement, nos produits ont été identifiés et félicités par le marché. Nous continuerons l'innovation technologique pour créer la valeur pour des clients. À l'avenir, notre société se consacrera au développement se développant d'industrie du marché de l'électronique de semi-conducteur, en réponse aux défis globaux plus rapides d'industrie électronique.

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Nombre de pièces:
10