W9725G6KB-25 Puce DRAM ic DDR2 SDRAM 256Mbit 16Mx16 1.8V 84-Pin WBGA
W9725G6KB-25 puce DRAM ic DDR2 SDRAM 256Mbit 16Mx16 1.8V 84 broches WBGA
Puce DRAM DDR2 SDRAM 256Mbit 16Mx16 1.8V 84-Pin WBGA
1. DESCRIPTIF GENERAL
Le W9725G6KB est une SDRAM DDR2 256M bits, organisée en 4 194 304 mots 4 banques 16 bits.Cet appareil atteint des taux de transfert à grande vitesse jusqu'à 1066 Mo/s/broche (DDR2-1066) pour les applications générales.W9725G6KB est classé selon les niveaux de vitesse suivants : -18, -25, 25I et -3.Les pièces de qualité -18 sont conformes à la spécification DDR2-1066 (7-7-7).Les pièces de qualité -25 et 25I sont conformes à la spécification DDR2-800 (5-5-5) ou DDR2-800 (6-6-6) (les pièces de qualité industrielle 25I sont garanties pour supporter -40°C ≤ TCASE ≤ 95°C).Les pièces de grade -3 sont conformes à la spécification DDR2-667 (5-5-5).Toutes les entrées de commande et d'adresse sont synchronisées avec une paire d'horloges différentielles alimentées en externe.Les entrées sont verrouillées au point de croisement des horloges différentielles (CLK montant et CLK descendant).Toutes les E/S sont synchronisées avec une paire DQS asymétrique ou DQS-DQS différentielle de manière synchrone avec la source.
2. CARACTÉRISTIQUES Alimentation : VDD, VDDQ = 1,8 V ± 0,1 V Architecture Double Data Rate : deux transferts de données par cycle d'horloge Latence CAS : 3, 4, 5, 6 et 7 Longueur de Burst : 4 et 8 Bi -les stroboscopes de données différentiels directionnels (DQS et DQS) sont transmis/reçus avec les données Alignés sur les bords avec les données de lecture et alignés au centre avec les données d'écriture Masques de données (DM) pour les données d'écriture Les commandes entrées sur chaque front CLK positif, les données et le masque de données sont référencés aux deux bords de DQS Latence additive programmable CAS publiée prise en charge pour rendre la commande et l'efficacité du bus de données Latence de lecture = Latence additive plus CAS Latence (RL = AL + CL) Réglage de l'impédance Off-Chip-Driver (OCD) et On-Die-Termination (ODT) pour une meilleure qualité du signal Opération de précharge automatique pour les rafales de lecture et d'écriture Mise hors tension préchargée et mise hors tension active Masque de données d'écriture Latence d'écriture = Lire Latence - 1 (WL = RL - 1) Interface : SSTL_18 Emballé dans une bille WBGA 84 (8x12,5 mm2), utilisant des matériaux sans plomb conformes RoHS.
Informations relatives à l'appareil :
| NUMÉRO DE RÉFÉRENCE VITESSE TEMPÉRATURE DE FONCTIONNEMENT |
| W9725G6KB-18 DDR2-1066 (7-7-7) 0°C ≤ TCASE ≤ 85°C |
| W9725G6KB-25 DDR2-800 (5-5-5) ou DDR2-800 (6-6-6) 0°C ≤ TCASE ≤ 85°C |
| W9725G6KB25I DDR2-800 (5-5-5) ou DDR2-800 (6-6-6) -40°C ≤ TCASE ≤ 95°C |
| W9725G6KB-3 DDR2-667 (5-5-5) 0°C ≤ TCASE ≤ 85°C |
| ATTRIBUT | LA DESCRIPTION |
|---|---|
| Statut RoHS | Conforme ROHS3 |
| Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL) | 3 (168 heures) |
| ECCN | EAR99 |
| HTSUS | 8542.39.0001 |