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TRANSISTORS MOSFET de transistor de puissance de PD85035S-E PD85035STR-E PD85035-E rf

Catégorie:
Composants électroniques
Prix:
Negotiated
Méthode de paiement:
T/T, Western Union, Paypal
Caractéristiques
Description:
transistors MOSFET latéraux d'amélioration-mode de N-canal
Catégorie:
Transistor de puissance composant-rf électronique
Type:
Transistors MOSFET
Détails:
FET N-CH 40V 8A 870MHz 3-Pin PowerSO-10RF du transistor rf
L'information.:
Famille de plastique de LdmoST
Nombre bas de produit:
PD85035
Statut sans plomb:
Sans plomb/RoHS conforme, RoHS conforme
Introduction

TRANSISTORS MOSFET de transistor de puissance de PD85035S-E PD85035STR-E PD85035-E rf

Le PD85035-E est un N-canal de source commune, puissance latérale de l'effet de champ rf d'amélioration-mode
transistor. Il est conçu pour des applications commerciales et industrielles à gain élevé et à bande large.
Il fonctionne à 13,6 V en mode de source commune aux fréquences de jusqu'à 1 gigahertz.
PD85035-E revendique l'excellents gain, linéarités et fiabilité de la dernière technologie du LDMOS du St montée dans le premier vrai
Paquet en plastique de puissance de SMD rf, PowerSO-10RF.
Les performances supérieures de linéarités de PD85035-E lui font une solution idéale pour la radio mobile de voiture.
Le paquet PowerSO-10 en plastique, conçu pour offrir la fiabilité élevée, est le premier St JEDEC
paquet de la puissance approuvée et élevée SMD. Il a été particulièrement optimisé pour les besoins et des offres de rf
excellentes représentations de rf et facilité d'assemblée.

Rf transistor MOSFET 13,6 V 150 mA 870MHz 16dB 15W PowerSO-10RF (droit) d'avance/(a formé l'avance)

Catégorie
Composants électroniques
 
Transistor de puissance de rf
Mfr
St
Série
TRANSISTORS MOSFET
Statut de produit
Actif
Type
Famille de plastique de LdmoST
Montage du type
Bâti extérieur
Paquet/cas
PowerSO-10RF
Paquet de dispositif de fournisseur
PowerSO-10RF (avance droite) (a formé l'avance)
Nombre bas de produit
PD85035

Classifications environnementales et d'exportation

ATTRIBUTDESCRIPTION
Statut de RoHSRoHS conforme
Niveau de sensibilité d'humidité (MSL)1 (illimité)
ECCNEAR99
HTSUS8543.70.9860


La plupart des transistors populaires d'effet de champ de puissance : PD85035

IPD90P04P4L04ATMA1SI7431DP-T1-GE3NTF2955T1G
IPD90P04P4L04ATMA2FDN5618PBSP318SH6327XTSA1
SUM110P08-11L-E3SI7431DP-T1-GE3NDT3055L
BSS123IRFP4137PBFIPD50P04P4L11ATMA2
IPB017N10N5LFATMA1IPD90P04P405ATMA1SI7431DP-T1-E3
2N7002BKW, 115BSC014N06NSATMA1SI7431DP-T1-E3
BSS123NTD20P06LT4GIRLML9301TRPBF
NDT2955IRLML2502TRPBFIRF4905STRLPBF
IRLML6402TRPBFBSP315PH6327XTSA1SPP08N80C3XKSA1
IPD50P04P4L11ATMA1IRLML6401TRPBFBSP135H6327XTSA1
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Courant:
Nombre de pièces:
10pieces