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Bâti extérieur SOT-523 de transistor MOSFET de N-canal de diodes de DMN26D0UT-7 DMN26

Catégorie:
Composants électroniques
Prix:
Negotiated
Méthode de paiement:
T/T, Western Union, Paypal
Caractéristiques
Détails:
Bâti 300mW (merci) extérieur du transistor MOSFET 20 V 230mA (ventres) de N-canal SOT-523
Famille:
Transistor MOSFET N-CH 20V 230MA SOT523
Catégorie:
Composant-transistor MOSFET électronique
Paquet:
SOT523
Type:
Produits semi-conducteurs discrets Transistors - FET, MOSFET - Unique
Température de fonctionnement:
-55°C | 150°C (VENTRES)
Montage du type:
Bâti extérieur
Numéro de la pièce bas:
dmn26
Surligner:

DMN26 transistor MOSFET de la Manche des diodes N

,

Composants DMN26D0UT-7 électroniques

,

Bâti de surface de transistor MOSFET de la Manche de N

Introduction

Bâti extérieur SOT-523 de transistor MOSFET de N-canal de diodes de DMN26D0UT-7 DMN26

Bâti 300mW (merci) extérieur du N-canal 20 V 230mA (ventres) SOT-523

Spécifications : Transistor MOSFET N-CH 20V 230MA SOT523

Catégorie
 
Transistors - FETs, transistors MOSFET - simples
Mfr
Diodes incorporées
Série
Transistor MOSFET
Paquet
Bande et bobine (TR)
Statut de produit
Actif
Type de FET
N-canal
Technologie
Transistor MOSFET (oxyde de métal)
Vidangez à la tension de source (Vdss)
20 V
Actuel - drain continu (identification) @ 25°C
230mA (ventres)
Tension d'entraînement (Max Rds On, Min Rds On)
1.2V, 4.5V
Le RDS sur (maximum) @ l'identification, Vgs
3Ohm @ 100mA, 4.5V
Identification de Vgs (Th) (maximum) @
1V @ 250µA
Vgs (maximum)
±10V
Capacité d'entrée (Ciss) (maximum) @ Vds
14,1 PF @ 15 V
Caractéristique de FET
-
Dissipation de puissance (maximum)
300mW (ventres)
Température de fonctionnement
-55°C | 150°C (TJ)
Montage du type
Bâti extérieur
Paquet de dispositif de fournisseur
SOT-523
Paquet/cas
SOT-523
Nombre bas de produit
DMN26

Classifications environnementales et d'exportation

ATTRIBUT DESCRIPTION
Statut de RoHS ROHS3 conforme
Niveau de sensibilité d'humidité (MSL) 3 (168 heures)
Statut de PORTÉE ATTEIGNEZ inchangé
ECCN 3A991A2
HTSUS 8542.31.0001

La plupart des petits transistors populaires d'effet de champ de signal

BSS138PS, 115 BSS138LT3G 2N7002P, 235
BSS123,215 BSS138NH6327XTSA2 BSS84AK, 215
BSS138L BSS138-7-F 2N7002K-T1-E3
SBSS84LT1G BSS138W-7-F FDN306P
2N7002K BSS123LT1G BSS123L
BSS138DW-7-F 2N7002DW-7-F 2N7002-TP
2N7002H6327XTSA2 BSS138BKW, 115 BSS84PWH6327XTSA1
2N7002ET1G BSS138-TP 2N7002K
BSS138W BSS138P, 215 BSS84AKW, 115
2N7002K-T1-E3 2N7002KT1G SI2319CDS-T1-GE3
BSS84LT1G BSS138-7-F 2N7002T-7-F
BSS123 BSS138PW, 115 2N7002K-T1-GE3
2N7002DW-7-F 2N7002-7-F BSS138TA
2N7002BKS, 115 BSS138-7-F BSS123-7-F
BSS138W-7-F 2N7002,215 BSS84W-7-F
2N7002PW, 115 BSS138K BSS84-7-F
2N7002DW BSS138BK, 215 2N7002VC-7
BSS138KT-TP BSS138 FDC658AP
BSS123-7-F BSS138W-TP 2N7002BKV, 115
BSS84,215 2N7002P, 215 BSS138DW-7-F
BSS138NH6433XTMA1 2N7002DWH6327XTSA1 BSS84AKM, 315
BSS123W-7-F 2N7002 2N7002-G
2N7002W-7-F BSS138WH6327XTSA1 2N7002WT1G
BSS138 BSS123NH6327XTSA1 2N7002-T1-E3
2N7002LT3G 2N7002KW 2N7002KW-TP
2N7002-T1-GE3 BSS138BKS, 115 2N7002AQ-7
BSS84-7-F BSS84PH6327XTSA2 FDN5630
2N7002DW-TP FDC5614P BSS138AKAR
BSS138NH6327 2N7002BK, 215 BSS84WQ-7-F
BSS138K-13 2N7002K-7 FDN304P
2N7002W 2N7002-T1-E3 SI2319CDS-T1-GE3
FDN338P FDN352AP 2N7002K-TP
BSS123WQ-7-F 2N7002-7-F BSS138WH6433XTMA1
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Courant:
Nombre de pièces:
1pieces